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1. (WO2017139486) METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING INCREASED STORAGE CAPACITY
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Pub. No.: WO/2017/139486 International Application No.: PCT/US2017/017221
Publication Date: 17.08.2017 International Filing Date: 09.02.2017
IPC:
G06F 11/16 (2006.01)
G PHYSICS
06
COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
F
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
11
Error detection; Error correction; Monitoring
07
Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
16
Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
Applicants:
R-STOR INC. [US/US]; 15150 Via Colina Saratoga, CA 95070, US
COGLITORE, Giovanni [US/US]; US
PANICCIA, Mario, J. [US/US]; US
LEVINSON, Roger [US/US]; US
Inventors:
COGLITORE, Giovanni; US
PANICCIA, Mario, J.; US
LEVINSON, Roger; US
Agent:
CHAO, Aborn, C.; US
CHAO, Aborn, C.; US
ALBASSAM, Majid, S.; US
FLANAGAN, Peter, C.; US
RABINOWITZ, Daniel, S.; US
Priority Data:
62/293,57810.02.2016US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING INCREASED STORAGE CAPACITY
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FOURNITURE DE PLUS GRANDE CAPACITÉ DE MÉMORISATION
Abstract:
(EN) Certain embodiments may relate to providing increased storage capacity. For instance, a memory storage device may include a motherboard with an external communication interface. The memory storage device may also include a multiple solid-state drives coupled to the motherboard in communication with the external communication interface. Each of the plurality of solid-state drives may include a respective storage controller to manage the distribution of data during a write or read operation to a combination of a primary storage allocation and a redundant storage allocation. The redundant storage allocation may be included in the combination in response to detecting an error condition associated with at least a portion of the primary storage allocation.
(FR) Selon certains modes de réalisation, la présente invention peut concerner la fourniture d'une plus grande capacité de mémorisation. Par exemple, un dispositif de mémorisation peut comprendre une carte mère ayant une interface de communication externe. Le dispositif de mémorisation peut également comprendre une pluralité de circuits de commande à semi-conducteurs couplés à la carte mère en communication avec l'interface de communication externe. Chacun des circuits de commande à semi-conducteurs de la pluralité de circuits de commande à semi-conducteurs peut comprendre un dispositif de commande de mémorisation respectif afin de gérer la distribution de données pendant une opération d'écriture ou de lecture vers une combinaison d'une attribution de mémorisation principale et d'une attribution de mémorisation redondante. L'attribution de mémorisation redondante peut être comprise dans la combinaison en réponse à la détection d'une condition d'erreur associée à au moins une partie de l'attribution de mémorisation principale.
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Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)