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1. (WO2017139191) DATA GATHERING IN MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2017/139191 International Application No.: PCT/US2017/016425
Publication Date: 17.08.2017 International Filing Date: 03.02.2017
IPC:
G11C 7/06 (2006.01) ,G06F 12/08 (2016.01) ,G11C 7/10 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
7
Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
06
Sense amplifiers; Associated circuits
G PHYSICS
06
COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
F
ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
12
Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
02
Addressing or allocation; Relocation
08
in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
7
Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
10
Input/output (I/O) data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
Applicants:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventors:
ZAWODNY, Jason T.; US
TIWARI, Sanjay; US
MURPHY, Richard C.; US
Agent:
WADDICK, Kevin G.; US
Priority Data:
15/043,23612.02.2016US
Title (EN) DATA GATHERING IN MEMORY
(FR) COLLECTE DE DONNÉES DANS UNE MÉMOIRE
Abstract:
(EN) Examples of the present disclosure provide apparatuses and methods for storing a first element in memory cells coupled to a first sense line and a plurality of access line. The examples can include storing a second element in memory cells coupled to a second sense line and the plurality of access lines. The memory cells coupled to the first sense line can be separated from the memory cells coupled to the second sense line by at least memory cells coupled to a third sense line and the plurality of access lines. The examples can include storing the second element in the memory cells coupled to the third sense line.
(FR) La présente invention concerne, selon des exemples, des appareils et des procédés de stockage d'un premier élément dans des cellules de mémoire couplées à une première ligne de détection et à une pluralité de lignes d'accès. Les exemples peuvent consister à stocker un second élément dans des cellules de mémoire couplées à une deuxième ligne de détection et à la pluralité de lignes d'accès. Les cellules de mémoire couplées à la première ligne de détection peuvent être séparées des cellules de mémoire couplées à la deuxième ligne de détection par au moins des cellules de mémoire couplées à une troisième ligne de détection et à la pluralité de lignes d'accès. Les exemples peuvent consister à stocker le second élément dans les cellules de mémoire couplées à la troisième ligne de détection.
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
CN108885885