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1. (WO2017138372) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/138372 International Application No.: PCT/JP2017/002885
Publication Date: 17.08.2017 International Filing Date: 27.01.2017
IPC:
H01L 27/14 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14
including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
H ELECTRICITY
04
ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
N
PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5
Details of television systems
30
Transforming light or analogous information into electric information
335
using solid-state image sensors [SSIS]
369
SSIS architecture; Circuitry associated therewith
Applicants:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventors:
村瀬 拓郎 MURASE Takuro; JP
若野 壽史 WAKANO Toshifumi; JP
Agent:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Priority Data:
2016-02378410.02.2016JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置および電子機器
Abstract:
(EN) The present technique pertains to a solid-state imaging device and an electronic device which enable improvement of shading characteristics. This solid-state imaging device is provided with a plurality of pixels arrayed in an imaging area on a substrate, and an on-chip microlens formed corresponding to each of the pixels. The exit pupil correction amount of each respective on-chip microlens is expressed using a two-dimensional distribution of a pupil correction function, which is derived by using an interpolation function to interpolate a calculated correction amount calculated for a prescribed position on the imaging area. The present technique can be applied to a CMOS image sensor or a CCD image sensor.
(FR) La présente technique se rapporte à un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs et à un dispositif électronique qui permettent une amélioration de caractéristiques d'ombrage. Ce dispositif d'imagerie à semi-conducteurs est pourvu d'une pluralité de pixels disposés en matrice dans une zone d'imagerie sur un substrat, et d'une microlentille sur puce formée de manière à correspondre à chacun des pixels. La quantité de correction de la pupille de sortie de chaque microlentille sur puce respective est exprimée à l'aide d'une distribution bidimensionnelle d'une fonction de correction de pupille, qui est dérivée en utilisant une fonction d'interpolation pour interpoler une quantité de correction calculée qui a été calculée pour une position prescrite sur la zone d'imagerie. La présente technique peut être appliquée à un capteur d'images CMOS ou à un capteur d'images CCD.
(JA) 本技術は、シェーディング特性の改善を図ることができるようにする固体撮像装置および電子機器に関する。 固体撮像装置は、基板上の撮像領域に配列された複数の画素と、各画素に対応して形成されるオンチップマイクロレンズとを備える。オンチップマイクロレンズそれぞれの射出瞳補正量は、撮像領域上の所定の位置について算出された算出補正量が補間関数により補間されることで導出される瞳補正関数の2次元分布で表される。本技術は、CMOSイメージセンサやCCDイメージセンサに適用することができる。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)