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1. (WO2017136564) TRANSISTORS UTILIZING MAGNETIC, DIELECTRIC AND MAGNETO-ELECTRIC FILMS
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Pub. No.: WO/2017/136564 International Application No.: PCT/US2017/016235
Publication Date: 10.08.2017 International Filing Date: 02.02.2017
IPC:
H01L 43/08 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43
Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08
Magnetic-field-controlled resistors
Applicants:
NORTHEASTERN UNIVERSITY [US/US]; Center for Research Innovation, 450-177 360 Huntington Avenue Boston, MA 02115, US
Inventors:
VITTORIA, Carmine; US
SOMU, Sivasubramanian; US
SI, Aung; US
LOMBARDI, Fabrizio; US
Agent:
SOLOMON, Mark, B.; US
CARROLL, Alice, O.; US
SMITH, James, M.; US
WAKIMURA, Mary, Lou; US
BROOK, David, E.; US
Priority Data:
62/291,28204.02.2016US
62/411,91624.10.2016US
Title (EN) TRANSISTORS UTILIZING MAGNETIC, DIELECTRIC AND MAGNETO-ELECTRIC FILMS
(FR) TRANSISTORS UTILISANT DES FILMS MAGNÉTIQUES, DIÉLECTRIQUES ET MAGNÉTOÉLECTRIQUES
Abstract:
(EN) A circuit implementing a magnetic tunnel junction (MTJ) device controls magnetization of the MTJ to control current through the device. The MJT device includes first and second magnetic layers separated by an insulating layer, where the first and second magnetic layers are in electrical communication with first and second terminals, respectively. A magneto-electric film is in electrical communication with a third terminal and is proximate to the second magnetic layer. By applying a signal to the magneto-electric film, the magnetization of the second magnetic layer can be selectively changed, enabling control over current through the MTJ device.
(FR) L'invention concerne un circuit qui met en œuvre un dispositif à jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) et qui commande la magnétisation de la MTJ pour réguler un courant à travers le dispositif. Le dispositif à MTJ comprend une première et une deuxième couche magnétique séparées par une couche isolante, les première et deuxième couches magnétiques étant en communication électrique respectivement avec des première et deuxième bornes. Un film magnétoélectrique se trouve en communication électrique avec une troisième borne et il est à proximité de la deuxième couche magnétique. En appliquant un signal au film magnétoélectrique, la magnétisation de la deuxième couche magnétique peut être modifiée sélectivement, ce qui permet de réguler le courant à travers le dispositif à MTJ.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)