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1. (WO2017134697) METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT
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Pub. No.: WO/2017/134697 International Application No.: PCT/JP2016/000503
Publication Date: 10.08.2017 International Filing Date: 01.02.2016
IPC:
H01L 43/12 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43
Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
12
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Applicants:
キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県川崎市麻生区栗木2-5-1 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550, JP
Inventors:
細谷 裕之 HOSOYA, Hiroyuki; JP
永峰 佳紀 NAGAMINE, Yoshinori; JP
Agent:
岡部 讓 OKABE, Yuzuru; JP
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT À EFFET MAGNÉTORÉSISTIF
(JA) 磁気抵抗効果素子の製造方法
Abstract:
(EN) According to one embodiment of the present invention, a method for manufacturing a magnetoresistive effect element is characterized by having: a step for forming an Mg film on a substrate on which a reference layer is film-formed, and film-forming an MgO layer on the reference layer by oxidizing the Mg film; a step for heating the substrate on which the MgO layer is film-formed; a step for film-forming an Mg layer on the MgO layer after the heating step; a step for cooling the substrate on which the Mg layer is film-formed; and a step for film-forming a free layer on the Mg layer in a state wherein the substrate has been cooled in the cooling step. The method is also characterized in that the step for film-forming the Mg layer, the cooling step, and the step for film-forming the free layer are performed in a same processing chamber.
(FR) Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un procédé de fabrication d'un élément à effet magnétorésistif qui est caractérisé en ce qu'il comprend : une étape de formation d'un film de Mg sur un substrat sur lequel une couche de référence est formée en film, et de formation de film d'une couche de MgO sur la couche de référence par oxydation du film de Mg; une étape de chauffage du substrat sur lequel la couche de MgO est formée en film; une étape de formation de film d'une couche de Mg sur la couche de MgO après l'étape de chauffage; une étape de refroidissement du substrat sur lequel la couche de Mg est formée en film; et une étape de formation de film d'une couche libre sur la couche de Mg dans un état dans lequel le substrat a été refroidi à l'étape de refroidissement. Le procédé est également caractérisé en ce que l'étape de formation de film de la couche de Mg, l'étape de refroidissement et l'étape de formation de film de la couche libre sont réalisées dans une même chambre de traitement.
(JA) 本発明の一実施形態に係る磁気抵抗効果素子の製造方法は、リファレンス層が成膜された基板上にMg膜を形成し、Mg膜を酸化することによりリファレンス層の上にMgO層を成膜する工程と、MgO層が成膜された基板を加熱する工程と、加熱する工程の後に、MgO層の上にMg層を成膜する工程と、Mg層が成膜された基板を冷却する工程と、冷却する工程により基板が冷却された状態で、Mg層の上にフリー層を成膜する工程と、を有し、Mg層を成膜する工程と、冷却する工程と、フリー層を成膜する工程は、同じ処理チャンバ内で行われることを特徴とする。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)
Also published as:
KR1020180103979