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1. (WO2017130929) SEMICONDUCTOR LAMINATE AND LIGHT-RECEIVING ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2017/130929 International Application No.: PCT/JP2017/002236
Publication Date: 03.08.2017 International Filing Date: 24.01.2017
IPC:
H01L 31/105 (2006.01) ,H01L 31/0352 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08
in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10
characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101
Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
102
characterised by only one potential barrier or surface barrier
105
the potential barrier being of the PIN type
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248
characterised by their semiconductor bodies
0352
characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
Applicants:
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Inventors:
有方 卓 ARIKATA Suguru; JP
冬木 琢真 FUYUKI Takuma; JP
吉本 晋 YOSHIMOTO Susumu; JP
京野 孝史 KYONO Takashi; JP
秋田 勝史 AKITA Katsushi; JP
Agent:
中田 元己 NAKATA Motomi; JP
森田 剛史 MORITA Takeshi; JP
高城 政浩 TAKAGI Masahiro; JP
緒方 大介 OGATA Daisuke; JP
Priority Data:
2016-01312027.01.2016JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LAMINATE AND LIGHT-RECEIVING ELEMENT
(FR) STRATIFIÉ SEMICONDUCTEUR ET ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE
(JA) 半導体積層体および受光素子
Abstract:
(EN) Provided is a semiconductor laminate comprising: a first semiconductor layer including a group III-V compound semiconductor, the conductivity type thereof being a first conductivity type; a quantum well structure including a group III-V compound semiconductor; a second semiconductor layer including a group III-V compound semiconductor; a third semiconductor layer including a group III-V compound semiconductor; and a fourth semiconductor layer including a group III-V compound semiconductor, the conductivity type thereof being a second conductivity type different from the first conductivity type. The first semiconductor layer, the quantum well structure, the second semiconductor layer, the third semiconductor layer, and the fourth semiconductor layer are layered in the stated order. The concentration of impurities generating carriers of the second conductivity type is lower in the third semiconductor layer than in the fourth semiconductor layer. The concentration of impurities generating majority carriers in the second semiconductor layer is lower in the third semiconductor layer than in the second semiconductor layer.
(FR) L'invention concerne un stratifié semiconducteur comprenant : une première couche en semiconducteur comprenant un semiconducteur composé des groupes III-V dont le type de conductivité est un premier type de conductivité ; une structure de puits quantique comprenant un semiconducteur composé des groupes III-V ; une deuxième couche en semiconducteur comprenant un semiconducteur composé des groupes III-V ; une troisième couche en semiconducteur comprenant un composé semiconducteur des groupes III-V ; et une quatrième couche en semiconducteur comprenant un semiconducteur composé des groupes III-V dont le type de conductivité est un deuxième type de conductivité différent du premier type de conductivité. La première couche en semiconducteur, la structure de puits quantique, la deuxième couche en semiconducteur, la troisième couche en semiconducteur et la quatrième couche en semiconducteur sont stratifiées dans l'ordre indiqué. La concentration des porteurs de charge générant des impuretés du deuxième type de conductivité est plus faible dans la troisième couche en semiconducteur que dans la quatrième couche en semiconducteur. La concentration des porteurs de charge majoritaires générant des impuretés dans la deuxième couche en semiconducteur est inférieure dans la troisième couche en semiconducteur que dans la deuxième couche en semiconducteur.
(JA) 半導体積層体は、III-V族化合物半導体を含み、導電型が第1導電型である第1半導体層と、III-V族化合物半導体を含む量子井戸構造と、III-V族化合物半導体を含む第2半導体層と、III-V族化合物半導体を含む第3半導体層と、III-V族化合物半導体を含み、導電型が第1導電型とは異なる第2導電型である第4半導体層と、を備える。第1半導体層、量子井戸構造、第2半導体層、第3半導体層および第4半導体層は、この順に積層される。第2導電型のキャリアを生成する不純物の濃度は、第4半導体層よりも第3半導体層において低い。第2半導体層において多数キャリアを生成する不純物の濃度は、第2半導体層よりも第3半導体層において低い。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)
Also published as:
US20190044010