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1. (WO2017130416) SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/130416 International Application No.: PCT/JP2016/052834
Publication Date: 03.08.2017 International Filing Date: 29.01.2016
IPC:
H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29
Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66
Types of semiconductor device
68
controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched
70
Bipolar devices
72
Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
739
controlled by field effect
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29
Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66
Types of semiconductor device
68
controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched
76
Unipolar devices
772
Field-effect transistors
78
with field effect produced by an insulated gate
Applicants:
サンケン電気株式会社 SANKEN ELECTRIC CO.,, LTD. [JP/JP]; 埼玉県新座市北野三丁目6番3号 3-6-3 KITANO, NIIZA-SHI Saitama 3528666, JP
鳥居 克行 Torii Katsuyuki [JP/JP]; JP (US)
Inventors:
鳥居 克行 Torii Katsuyuki; JP
Common
Representative:
サンケン電気株式会社 SANKEN ELECTRIC CO.,, LTD.; 埼玉県新座市北野三丁目6番3号 3-6-3 KITANO, NIIZA-SHI Saitama 3528666, JP
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abstract:
(EN) The present invention provides a semiconductor device characterized by including a first conductive-type first semiconductor region, a second conductive-type second semiconductor region disposed on the first semiconductor region, a first conductive-type third semiconductor region disposed on the second semiconductor region, a second conductive-type fourth semiconductor region disposed on the third semiconductor region, a control electrode disposed so as to opposed to the third semiconductor region via an insulating film, a first electrode electrically connected to the first semiconductor region, a second electrode electrically connected to the fourth semiconductor region, a fifth semiconductor region disposed between the first semiconductor region and the second semiconductor region and having an impurity concentration that is higher than that of the second semiconductor region, and a sixth semiconductor region disposed between the first semiconductor region and the second semiconductor region and having an impurity concentration that is higher than that of the second semiconductor region but is lower than that of the fifth semiconductor region. As a result, a semiconductor device that hardly causes a latch-up phenomenon and that shows a low built-in potential can be provided.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs caractérisé en ce qu'il comprend une première région semi-conductrice d'un premier type de conductivité, une deuxième région semi-conductrice d'un deuxième type de conductivité disposée sur la première région semi-conductrice, une troisième région semi-conductrice du premier type de conductivité disposée sur la deuxième région semi-conductrice, une quatrième région semi-conductrice d'un deuxième type de conductivité disposée sur la troisième région semi-conductrice, une électrode de commande opposée à la troisième région semi-conductrice avec interposition d'un film isolant, une première électrode électriquement connectée à la première région semi-conductrice, une deuxième électrode électriquement connectée à la quatrième région semi-conductrice, une cinquième région semi-conductrice disposée entre la première région semi-conductrice et la deuxième région semi-conductrice et ayant une concentration en impuretés supérieure à celle de la deuxième région semi-conductrice, et une sixième région semi-conductrice disposée entre la première région semi-conductrice et la deuxième région semi-conductrice et ayant une concentration en impuretés supérieure à celle de la deuxième région semi-conductrice mais inférieure à celle de la cinquième région semi-conductrice. Cela permet d'obtenir un dispositif semi-conducteur qui ne provoque qu'un faible phénomène de verrouillage et qui présente un faible potentiel intégré.
(JA) 本発明は、第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域上に配置された、第2導電型の第2半導体領域と、第2半導体領域上に配置された、第1導電型の第3半導体領域と、第3半導体領域上に配置された、第2導電型の第4半導体領域と、第3半導体領域に対向して、絶縁膜を介して配置された制御電極と、第1半導体領域と電気的に接続された第1電極と、第4半導体領域と電気的に接続された第2電極と、第1半導体領域と第2半導体領域との間にあって、第2半導体領域より不純物濃度が高い第5半導体領域と、第1半導体領域と第2半導体領域との間にあって、第2半導体領域より不純物濃度が高く第5半導体領域より不純物濃度が低い第6半導体領域と、を備えることを特徴とする。これにより、ラッチアップ現象が生じ難く、低い内蔵電位となる半導体装置を提供することができる。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)