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Pub. No.: WO/2017/130370 International Application No.: PCT/JP2016/052595
Publication Date: 03.08.2017 International Filing Date: 29.01.2016
H01L 23/34 (2006.01)
Details of semiconductor or other solid state devices
Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
村井 亮司 MURAI Ryoji; JP
愛甲 光徳 AIKO Mitsunori; JP
白澤 敬昭 SHIRASAWA Takaaki; JP
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
Priority Data:
(JA) 半導体装置
(EN) A technology disclosed in the present specification relates to a technology whereby heat dissipation characteristics of a semiconductor element and those of a lead electrode can be improved without increasing the size of a product. A semiconductor device relating to the present technology is provided with: a semiconductor element 100; a lead electrode 102, i.e., an external terminal, a lower surface portion of which is connected to an upper surface of the semiconductor element 100, said lower surface portion being at one end of the lead electrode; a cooling mechanism 109 disposed on the lower surface side of the semiconductor element 100; and a heat dissipation mechanism, which is disposed by being thermally coupled between the cooling mechanism 109 and a lower surface portion of the lead electrode 102, said lower surface portion being on the side further toward the other end of the lead electrode than the one end, and which includes at least one insulating layer 104.
(FR) Une technologie décrite dans la présente invention concerne une technologie par laquelle des caractéristiques de dissipation thermique d'un élément semi-conducteur d'une électrode conductrice peuvent être améliorées sans augmenter la dimension d'un produit. Un dispositif à semi-conducteurs concernant la présente invention comprend : un élément semi-conducteur (100) ; une électrode conductrice (102), c'est-à-dire une borne externe, dont une partie de surface inférieure est connectée à une surface supérieure de l'élément semi-conducteur (100), ladite partie de surface inférieure étant située à une extrémité de l'électrode conductrice ; un mécanisme de refroidissement (109) disposé sur le côté surface inférieure de l'élément semi-conducteur (100) ; et un mécanisme de dissipation de chaleur, qui est disposé en étant couplé thermiquement entre le mécanisme de refroidissement (109) et une partie surface inférieure de l'électrode conductrice (102), ladite partie surface inférieure étant sur le côté plus proche de l'autre extrémité de l'électrode conductrice que la première extrémité, et qui comprend au moins une couche isolante (104).
(JA)  本願明細書に開示される技術は、製品サイズを大型化させずに、半導体素子の放熱性とリード電極の放熱性とを向上させることができる技術に関するものである。本技術に関する半導体装置は、半導体素子100と、半導体素子100の上面に一端の下面が接続される外部端子であるリード電極102と、半導体素子100の下面側に配置される冷却機構109と、リード電極102の一端よりも他端側の下面と冷却機構109との間に熱的に結合して配置され、かつ、少なくとも1つの絶縁層104を含む放熱機構とを備えるものである。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)
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