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1. (WO2017111923) APPROACHES FOR MEASURING OVERLAY, DOSE OR FOCUS ON PRE-PATTERNED HARDMASK STRUCTURES USING SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (SEM)
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Pub. No.: WO/2017/111923 International Application No.: PCT/US2015/067195
Publication Date: 29.06.2017 International Filing Date: 21.12.2015
IPC:
H01L 21/027 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027
Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing, not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34165
Applicants:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventors:
TANDON, Shakul; US
WALLACE, Charles H.; US
NYHUS, Paul A.; US
Agent:
BRASK, Justin, K.; US
Priority Data:
Title (EN) APPROACHES FOR MEASURING OVERLAY, DOSE OR FOCUS ON PRE-PATTERNED HARDMASK STRUCTURES USING SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (SEM)
(FR) APPROCHES POUR MESURER LE RECOUVREMENT, LA DOSE OU LA FOCALISATION SUR DES STRUCTURES DE MASQUE DUR À MOTIF PRÉFORMÉ À L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ÉLECTRONIQUE À BALAYAGE (MEB)
Abstract:
(EN) Approaches for measuring overlay, dose, or focus on pre-patterned hardmask structures using scanning electron microscopy (SEM) are described. In an example, a method of performing scanning electron microscope (SEM) metrology of a semiconductor structure includes providing a semiconductor structure having an underlying layer including a pre-patterned grating structure having a pitch. The method also includes providing an overlying layer on the underlying layer, the overlying layer including a grating pattern having a pitch different from the pitch of the pre-patterned grating structure of the underlying layer. The method also includes measuring for an overlay mismatch of the overlying layer relative to the pre-patterned grating structure of the underlying layer by detecting a location of a first cleared photobucket of the underlying layer.
(FR) L'invention concerne des approches qui permettent de mesurer le recouvrement, la dose ou la focalisation sur des structures de masque dur à motif préformé à l'aide de la microscopie électronique à balayage (MEB). Dans un exemple, un procédé pour effectuer une métrologie par microscope électronique à balayage (MEB) d'une structure semi-conductrice consiste à utiliser une structure semi-conductrice ayant une couche sous-jacente comprenant une structure treillissée à motif préformé ayant un pas. Le procédé consiste également à disposer une couche sus-jacente sur la couche sous-jacente, la couche sus-jacente comprenant un motif treillissé ayant un pas différent du pas de la structure treillissée à motif préformé de la couche sous-jacente. Le procédé consiste également à mesurer un désaccord de recouvrement de la couche sus-jacente par rapport à la structure treillissée à motif préformé de la couche sous-jacente par détection d'un emplacement d'un premier godet de résine photosensible dégagé de la couche sous-jacente.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)