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1. (WO2017111888) ENVELOPE-TRACKING CONTROL TECHNIQUES FOR HIGHLY-EFFICIENT RF POWER AMPLIFIERS
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Pub. No.: WO/2017/111888 International Application No.: PCT/US2015/066998
Publication Date: 29.06.2017 International Filing Date: 21.12.2015
IPC:
H03F 1/02 (2006.01) ,H03F 3/189 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
F
AMPLIFIERS
1
Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
02
Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
F
AMPLIFIERS
3
Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
189
High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
Applicants:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventors:
THEN, Han Wui; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
SUNG, Seung Hoon; US
GARDNER, Sanaz K.; US
Agent:
BRODSKY, Stephen I.; US
Priority Data:
Title (EN) ENVELOPE-TRACKING CONTROL TECHNIQUES FOR HIGHLY-EFFICIENT RF POWER AMPLIFIERS
(FR) TECHNIQUES DE CONTRÔLE À SUIVI D'ENVELOPPE POUR AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE À RF À HAUT RENDEMENT
Abstract:
(EN) Envelope-tracking control techniques are disclosed for highly-efficient radio frequency (RF) power amplifiers. In some cases, a III-V semiconductor material (e.g., GaN or other group III material-nitride (III-N) compounds) MOSFET including a high-k gate dielectric may be used to achieve such highly-efficient RF power amplifiers. The use of a high-k gate dielectric can help to ensure low gate leakage and provide high input impedance for RF power amplifiers. Such high input impedance enables the use of envelope-tracking control techniques that include gate voltage (Vg) modulation of the III-V MOSFET used for the RF power amplifier. In such cases, being able to modulate Vg of the RF power amplifier using, for example, a voltage regulator, can result in double-digit percentage gains in power-added efficiency (PAE). In some instances, the techniques may simultaneously utilize envelope-tracking control techniques that include drain voltage (Vd) modulation of the III-V MOSFET used for the RF power amplifier.
(FR) L'invention concerne des techniques de contrôle à suivi d'enveloppe pour amplificateurs de puissance à radiofréquence (RF) à haut rendement. Dans certains cas, un MOSFET en matériau semi-conducteur des groupes III-V (par ex., du GaN ou d'autres composés de nitrure de matériau du groupe III (III-N)) incluant un diélectrique de grille à fort k peut être utilisé pour achever de tels amplificateurs de puissance à RF à haut rendement. L'utilisation d'un diélectrique de grille à fort k peut aider à assurer une faible fuite de grille et à réaliser une impédance d'entrée élevée pour des amplificateurs de puissance à RF. Une telle impédance d'entrée élevée permet l'utilisation de techniques de contrôle à suivi d'enveloppe qui incluent la modulation de tension de grille (Vg) du MOSFET III-V utilisé pour l'amplificateur de puissance à RF. Dans de tels cas, la possibilité de moduler la Vg de l'amplificateur de puissance à RF au moyen, par exemple, d'un régulateur de tension, peut résulter en gains de pourcentage à deux chiffres dans le rendement en puissance ajoutée (PAE). Dans certaines instances, les techniques peuvent utiliser simultanément des techniques de contrôle à suivi d'enveloppe qui incluent la modulation de la tension de drain (Vd) du MOSFET III-V utilisé pour l'amplificateur de puissance à RF.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
US20180342985