Search International and National Patent Collections
Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persists, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2017110878) POWER FEED CONTROL DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2017/110878 International Application No.: PCT/JP2016/088112
Publication Date: 29.06.2017 International Filing Date: 21.12.2016
IPC:
H02J 1/00 (2006.01) ,H02H 9/02 (2006.01) ,H03K 17/16 (2006.01)
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
J
CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
1
Circuit arrangements for dc mains or dc distribution networks
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
H
EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
9
Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
02
responsive to excess current
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
17
Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
16
Modifications for eliminating interference voltages or currents
Applicants:
株式会社オートネットワーク技術研究所 AUTONETWORKS TECHNOLOGIES, LTD. [JP/JP]; 三重県四日市市西末広町1番14号 1-14, Nishisuehirocho, Yokkaichi-shi, Mie 5108503, JP
住友電装株式会社 SUMITOMO WIRING SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 三重県四日市市西末広町1番14号 1-14, Nishisuehirocho, Yokkaichi-shi, Mie 5108503, JP
住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Inventors:
眞瀬 佳祐 MASE, Keisuke; JP
杉沢 佑樹 SUGISAWA, Yuuki; JP
小田 康太 ODA, Kota; JP
澤野 峻一 SAWANO, Shunichi; JP
Agent:
河野 英仁 KOHNO, Hideto; JP
河野 登夫 KOHNO, Takao; JP
Priority Data:
2015-25488325.12.2015JP
Title (EN) POWER FEED CONTROL DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE COMMANDE D'ALIMENTATION ÉLECTRIQUE
(JA) 給電制御装置
Abstract:
(EN) In a power feed control device (11), a control circuit (23) adjusts a resistance value between the drain and the source of a semiconductor transistor (20) by adjusting a gate voltage of the semiconductor transistor (20). After the control circuit (23) reduced the resistance value between the drain and the source, a control unit (56) determines whether a source voltage detected by a voltage detection unit (21) is equal to or higher than a reference voltage. In the cases where it is determined that the source voltage is equal to or higher than the reference voltage by the control unit (56), the control circuit (23) reduces the resistance value between the drain and the source again. In the cases where it is determined that the source voltage is lower than the predetermined voltage by the control unit (56), the control circuit (23) adjusts the resistance value between the drain and the source to a resistance value equal to or higher than the resistance value obtained at a time when the determination was performed.
(FR) L'invention porte sur un dispositif de commande d'alimentation électrique (11) dans lequel un circuit de commande (23) règle une valeur de résistance entre le drain et la source d'un transistor à semi-conducteur (20) par réglage d'une tension de grille du transistor à semi-conducteur (10). Après que le circuit de commande (23) a réduit la valeur de résistance entre le drain et la source, une unité de commande (56) détermine si une tension de source détectée par une unité de détection de tension (21) est supérieure ou égale à une tension de référence. Dans le cas où l'unité de commande (56) détermine que la tension de source est supérieure ou égale à la tension de référence, le circuit de commande (23) réduit de nouveau la valeur de résistance entre le drain et la source. Dans le cas où l'unité de commande (56) détermine que la tension de source est inférieure à la tension prédéterminée, le circuit de commande (23) règle la valeur de résistance entre le drain et la source à une valeur de résistance supérieure ou égale à la valeur de résistance obtenue au moment où la détermination a été effectuée.
(JA) 給電制御装置(11)においては、制御回路(23)は、半導体トランジスタ(20)におけるゲートの電圧を調整することによって、半導体トランジスタ(20)のドレイン及びソース間の抵抗値を調整する。制御部(56)は、制御回路(23)がドレイン及びソース間の抵抗値を低下させた後、電圧検出部(21)が検出したソースの電圧が基準電圧以上であるか否かを判定する。制御部(56)によってソースの電圧が基準電圧以上であると判定された場合、制御回路(23)はドレイン及びソース間の抵抗値を再び低下させる。制御部(56)によってソースの電圧が所定電圧未満であると判定された場合、制御回路(23)は、ドレイン及びソース間の抵抗値を、判定が行われた時点の抵抗値以上に調整する。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)
Also published as:
CN108370155EP3396805US20180358806