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1. (WO2017110352) ACTIVE LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTIVE LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE PRODUCTION METHOD
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Pub. No.: WO/2017/110352 International Application No.: PCT/JP2016/084672
Publication Date: 29.06.2017 International Filing Date: 22.11.2016
IPC:
G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01)
G PHYSICS
03
PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
F
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
7
Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printed surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004
Photosensitive materials
039
Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
G PHYSICS
03
PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
F
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
7
Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printed surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004
Photosensitive materials
04
Chromates
Applicants:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventors:
冨賀 敬充 TOMIGA Takamitsu; JP
原田 憲一 HARADA Kenichi; JP
杉山 真一 SUGIYAMA Shinichi; JP
吉野 文博 YOSHINO Fumihiro; JP
平野 修史 HIRANO Shuji; JP
Agent:
高松 猛 TAKAMATSU Takeshi; JP
尾澤 俊之 OZAWA Toshiyuki; JP
Priority Data:
2015-25519225.12.2015JP
2016-17980314.09.2016JP
Title (EN) ACTIVE LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTIVE LIGHT-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU À UN RAYONNEMENT, FILM SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU À UN RAYONNEMENT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
Abstract:
(EN) Provided are: an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition that can simultaneously have an excellent resolution and an excellent exposure latitude at hi gh levels when a pattern is formed from a thick resist film (having a thickness of at least 1 ìm, for example), and that can to inhibit roughness, which may occur during etching, from occurring on lateral walls of a resist pattern, the composition containing a resin (A) having a glass transition temperature of 155°C or higher, a compound (B) having a glass transition temperature of 150°C or lower, and a solvent (C), wherein the solid content in the active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition is at least 20 mass%, and a resist pattern formed with the active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition has a softening point of 130-170°C; an active light-sensitive or radiation-sensitive film; a pattern forming method; and a method for producing an electronic device by using those.
(FR) L'invention concerne une composition de résine sensible à la lumière active ou à un rayonnement, qui peut avoir simultanément une excellente résolution et une excellente latitude d'exposition aux niveaux hi gh lorsqu'un motif est formé à partir d'un film de réserve épais (ayant une épaisseur d'au moins 1 ìm, par exemple), et qui peut empêcher la rugosité, qui peut apparaître pendant la gravure, de se produire sur des parois latérales d'un motif de réserve, la composition contenant une résine (A) ayant une température de transition vitreuse de 155 °C ou plus, un composé (B) ayant une température de transition vitreuse de 150 °C ou moins, et un solvant (C), la teneur en solides dans la composition de résine sensible à la lumière active ou à un rayonnement étant d'au moins 20 % en masse, et un motif de réserve formé avec la composition de résine sensible à la lumière active ou à un rayonnement ayant un point de ramollissement de 130 à 170 °C; un film sensible à la lumière active ou à un rayonnement; un procédé de formation de motif; et un procédé de production d'un dispositif électronique au moyen de ces derniers.
(JA) ガラス転移温度が155℃以上の樹脂(A)、ガラス転移温度が150℃以下の化合物(B)、及び溶剤(C)を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の固形分含有量が20質量%以上であり、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって形成されるレジストパターンの軟化点が130℃以上170℃以下である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により、厚膜の(例えば1μm以上の厚さを有する)レジスト膜からパターンを形成する場合において、優れた解像性と、優れた露光ラチチュードとを高次元で両立するとともに、エッチング時に発生し得るレジストパターンの側壁におけるラフネスを抑制可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、及び、パターン形成方法、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)
Also published as:
KR1020180086222CN108431690