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1. (WO2017110132) SILICON SUBSTRATE ANALYZING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2017/110132 International Application No.: PCT/JP2016/073881
Publication Date: 29.06.2017 International Filing Date: 16.08.2016
IPC:
G01N 27/62 (2006.01) ,G01N 1/28 (2006.01) ,G01N 1/32 (2006.01)
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
N
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27
Investigating or analysing materials by the use of electric, electro-chemical, or magnetic means
62
by investigating the ionisation of gases; by investigating electric discharges, e.g. emission of cathode
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
N
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
1
Sampling; Preparing specimens for investigation
28
Preparing specimens for investigation
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
N
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
1
Sampling; Preparing specimens for investigation
28
Preparing specimens for investigation
32
Polishing; Etching
Applicants:
株式会社 イアス IAS INC. [JP/JP]; 東京都国立市富士見台4‐39‐5‐916 4-39-5-916, Fujimidai, Kunitachi-shi, Tokyo 1860003, JP
Inventors:
川端 克彦 KAWABATA, Katsuhiko; JP
一之瀬 達也 ICHINOSE, Tatsuya; JP
林 匠馬 HAYASHI, Takuma; JP
Agent:
特許業務法人田中・岡崎アンドアソシエイツ TANAKA AND OKAZAKI; 東京都文京区本郷3丁目30番10号 本郷K&Kビル Hongo K&K Bldg., 30-10, Hongo 3-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033, JP
Priority Data:
2015-24958822.12.2015JP
Title (EN) SILICON SUBSTRATE ANALYZING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ANALYSE DE SUBSTRAT DE SILICIUM
(JA) シリコン基板用分析装置
Abstract:
(EN) The present invention provides a silicon substrate analyzing device with which impurities such as trace metals in a silicon substrate on which a thick nitride film or oxide film has been deposited can be analyzed with high precision using ICP-MS. The present invention relates to a silicon substrate analyzing device provided with a loading port, a substrate conveying robot, an aligner, a drying chamber, a gas phase decomposition chamber, an analysis scanning port including an analysis stage and a substrate analysis nozzle, an analysis solution collecting means, and an analyzing means for carrying out inductively coupled plasma analysis, characterized in that: the substrate analysis nozzle is used to sweep a high-concentration recovery solution silicon over the surface of a silicon substrate on which an oxide film or a nitride film has been deposited, and to recover the recovery solution; the recovered high-concentration recovery solution is then discharged onto the surface of the silicon substrate and is then dried by heating; and the surface of the silicon substrate is then swept using an analysis solution which is recovered and analyzed by ICP-MS.
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'analyse de substrat de silicium avec lequel des impuretés telles que des métaux à l'état de traces dans un substrat de silicium sur lequel un film de nitrure ou un film d'oxyde épais a été déposé peut être analysé avec une précision élevée à l'aide de la spectrométrie de masse à plasma à couplage inductif (ICP-MS). La présente invention concerne un dispositif d'analyse de substrat de silicium doté d'un orifice de chargement, d'un robot de transport de substrat, d'un dispositif d'alignement, d'une chambre de séchage, d'une chambre de décomposition en phase gazeuse, d'un orifice de balayage d'analyse comprenant un étage d'analyse et une buse d'analyse de substrat, d'un moyen de collecte d'une solution d'analyse et d'un moyen d'analyse pour effectuer une analyse à plasma à couplage inductif, caractérisé en ce que : la buse d'analyse de substrat est utilisée pour balayer du silicium de solution de récupération à haute concentration sur la surface de silicium d'un substrat de silicium sur lequel un film d'oxyde ou un film de nitrure a été déposé, et pour récupérer la solution de récupération ; en ce que la solution de récupération de concentration élevée récupérée est ensuite déchargée sur la surface du substrat de silicium puis est séchée par chauffage ; et en ce que la surface du substrat de silicium est ensuite balayée à l'aide d'une solution d'analyse qui est récupérée et analysée par ICP-MS.
(JA) 本発明は、膜厚の厚い窒化膜や酸化膜が成膜されたシリコン基板における微量金属等の不純物を、ICP-MSにより高精度に分析可能なシリコン基板用分析装置を提供する。本発明は、ロードポート、基板搬送ロボット、アライナー、乾燥室、気相分解チャンバー、分析ステージ及び基板分析用ノズルを有する分析スキャンポート、分析液採取手段、誘導結合プラズマ分析する分析手段を備えるシリコン基板用分析装置であって、酸化膜や窒化膜が成膜されたシリコン基板を、基板分析用ノズルにより高濃度回収液でシリコン基板表面を掃引して回収し、回収した高濃度回収液をシリコン基板表面に吐出後、加熱乾燥して、分析液によりシリコン基板表面を掃引して回収し、分析液をICP-MSで分析することを特徴とする。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)
Also published as:
KR1020180014175CN107850569EP3339851US20180217036