Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2017099759) CONNECTION PADS FOR LOW CROSS-TALK VERTICAL WIREBONDS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2017/099759 International Application No.: PCT/US2015/064761
Publication Date: 15.06.2017 International Filing Date: 09.12.2015
IPC:
H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25
Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices
03
all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/-H01L51/128
04
the devices not having separate containers
065
the devices being of a type provided for in group H01L27/78
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
48
Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads or terminal arrangements
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25
Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices
03
all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/-H01L51/128
04
the devices not having separate containers
07
the devices being of a type provided for in group H01L29/78
Applicants:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventors:
LO, Hungying L.; US
Agent:
GRIFFIN, Malvern U., III; US
Priority Data:
Title (EN) CONNECTION PADS FOR LOW CROSS-TALK VERTICAL WIREBONDS
(FR) PLAGES DE CONNEXION POUR CONNEXIONS DE FILS VERTICAUX À FAIBLE DIAPHONIE
Abstract:
(EN) Wirebond bondpads on semiconductor packages that result in reduced cross-talk and/or interference between vertical wires are disclosed. The vertical wirebonds may be disposed in the semiconductor package with stacked dies, where the wires are substantially normal to the bondpads to which the vertical wirebonds are attached on the dies. The wirebond pads may include signal pads that carry input/output (I/O) to/from the die package, as well as ground bondpads. The vertical wirebond bondpads may have widths that are greater than the space between adjacent bondpads. Bondpads may be fabricated to be larger than the size requirements for reliable wirebond formation on the bondpads. For a fixed pitch bondpad configuration, the size of the signal bondpads adjacent to the ground bondpads may be greater than half of the pitch. By increasing the size (e.g., width) of the signal bondpads adjacent to a ground line relative to the space therebetween, improved cross-talk performance may be achieved.
(FR) La présente invention porte sur des plages de connexion de connexion de fils sur des conditionnements de semi-conducteurs qui résultent en une diaphonie et/ou un brouillage réduit entre des fils verticaux. Les connexions des fils verticaux peuvent être disposées dans le conditionnement de semi-conducteur avec puces empilées, les fils étant sensiblement perpendiculaires aux plages de connexion auxquelles les connexions des fils verticaux sont fixées sur les puces. Les plages de connexion des fils peuvent comprendre des plages de signaux qui portent une entrée/sortie (I/O) vers/depuis le conditionnement de puce, ainsi que des plages de connexion de masse. Les plages de connexion de connexion des fils verticaux peuvent avoir des largeurs qui sont supérieures à l'espace entre des plages de connexion adjacentes. Des plages de connexion peuvent être fabriquées de façon à être plus grandes que les exigences de dimension pour formation de connexion des fils fiable sur les plages de connexion. Pour une configuration de plage de connexion à pas fixe, la dimension des plages de connexion de signal adjacentes aux plages de connexion de masse peut être supérieure à la moitié du pas. En augmentant la dimension (par exemple, la largeur) des plages de connexion de signal adjacentes à une ligne de masse par rapport à l'espace entre ces dernières, une performance de diaphonie améliorée peut être obtenue.
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
US20180323173