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1. (WO2017097722) METHOD FOR MANUFACTURING INTER-DIGITATED BACK CONTACT PHOTOVOLTAIC DEVICES
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Pub. No.: WO/2017/097722 International Application No.: PCT/EP2016/079794
Publication Date: 15.06.2017 International Filing Date: 05.12.2016
IPC:
H01L 31/18 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31
Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Applicants:
TOTAL SA [FR/FR]; 2 Place Jean Millier LA DEFENSE 6 92400 Courbevoie, FR
ECOLE POLYTECHNIQUE [FR/FR]; Route de Saclay 91120 Palaiseau, FR
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3 rue Michel Ange 75016 Paris, FR
Inventors:
LEAL, Ronan; FR
POULAIN, Gilles; FR
DAMON-LACOSTE, Jérôme; FR
Agent:
CHAUVIN, Vincent; FR
ORSINI, Fabienne; FR
BLAYO, Nadine; FR
BONNANS, Arnaud; FR
DE CACQUERAY-VALMENIER, Stanislas; FR
CANUEL, Clélia; FR
CATHERINE, Alain; FR
DEVIC, David; FR
LE BIHAN, Jean-Michel; FR
LIENARD, Céline; FR
LE CACHEUX, Samuel; FR
Priority Data:
15306957.008.12.2015EP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING INTER-DIGITATED BACK CONTACT PHOTOVOLTAIC DEVICES
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES À CONTACT ARRIÈRE INTERDIGITÉ
Abstract:
(EN) The invention concerns a method for manufacturing an IBC device comprising the steps of: a) providing a crystalline silicon substrate (1) having a back surface (12); b) forming first masked areas (22) and first opened areas (21); c) first selective epitaxial PECVD step, so as to deposit a first crystalline silicon layer (31) on the first opened areas (21) and a non-crystalline silicon layer (32) on the first masked areas (22); d) depositing a second dielectric layer (4); e) selectively etching the first dielectric layer (2) for forming second opened areas (42) and second masked areas (41) coating the first crystalline silicon layer (31); f) second selective epitaxial PECVD step, so as to deposit a second crystalline silicon layer (52) on the second opened areas (42) and a second non- crystalline silicon layer (51) on the second masked areas (41); g) selectively etching the second dielectric layer (4).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à contact arrière interdigité comportant les étapes consistant à : a) mettre en œuvre un substrat en silicium cristallisé (1) ayant une surface arrière (12); b) former des premières zones masquées (22) et des premières zones ouvertes (21); c) une première étape de PECVD (dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma) épitaxiale sélective, de manière à déposer une première couche de silicium cristallisé (31) sur les premières zones ouvertes (21) et une couche de silicium non cristallisé (32) sur les premières zones masquées (22); d) déposer une deuxième couche diélectrique (4); e) graver de manière sélective la première couche diélectrique (2) pour former des deuxièmes zones ouvertes (42) et des deuxièmes zones masquées (41) recouvrant la première couche de silicium cristallisé (31); f) une deuxième étape de PECVD (dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma) épitaxiale sélective, de manière à déposer une deuxième couche de silicium cristallisé (52) sur les deuxièmes zones ouvertes (42) et une deuxième couche de silicium non cristallisé (51) sur les deuxièmes zones masquées (41); g) graver de manière sélective la deuxième couche diélectrique (4).
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)