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1. (WO2017097597) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIPS, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
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Pub. No.: WO/2017/097597 International Application No.: PCT/EP2016/078663
Publication Date: 15.06.2017 International Filing Date: 24.11.2016
IPC:
H01L 33/24 (2010.01) ,H01L 33/08 (2010.01) ,H01L 33/18 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
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with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
24
of the light emitting region, e.g. non-planar junction
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
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with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33
Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02
characterised by the semiconductor bodies
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with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
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within the light emitting region
Applicants:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventors:
AVRAMESCU, Adrian Stefan; DE
LUGAUER, Hans-Jürgen; DE
VARGHESE, Tansen; DE
SCHIMPKE, Tilman; DE
Agent:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Priority Data:
10 2015 121 554.310.12.2015DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIPS, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCES À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUES ET PUCE À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Abstract:
(DE) In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von LEDs eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen einer Aufwachsfläche (20), B) Wachsen einer Vielzahl von Halbleitersäulen (3) auf der Aufwachsfläche (20), wobei die Halbleitersäulen (3) quer zur Aufwachsfläche (20) orientierte Seitenflächen (32) und der Aufwachsfläche (20) abgewandte Oberseiten (33) aufweisen, C) Wachsen von Halbleiterumhüllungen (4) an den Halbleitersäulen (3), sodass die Halbleiterumhüllungen (4) die Seitenflächen (32) überwachsen, als Pyramiden geformt und eineindeutig den Halbleitersäulen (3) zugeordnet werden, D) Wachsen einer zur Strahlungserzeugung eingerichteten aktiven Zone (5) und einer dotierten Halbleiterschicht (6) auf die Halbleiterumhüllungen (4), sodass die aktive Zone (5) und die dotierte Halbleiterschicht (6) eine Oberseite (40) der Halbleiterumhüllungen (4) nachbilden, und E) Aufbringen einer lichtdurchlässigen Elektrodenschicht (7) auf die dotierte Halbleiterschicht (6).
(EN) An embodiment of the invention relates to a method for producing LEDs and has the following steps: A) providing a growth surface (20), B) growing a number of semiconductor columns (3) on the growth surface (20), said semiconductor columns (3) having lateral surfaces (32) oriented transversely to the growth surface (20) and upper faces (33) facing away from the growth surface (20), C) growing semiconductor casings (4) on the semiconductor columns (3), such that the semiconductor casings (4) grow over the lateral surfaces (32), are shaped as pyramids, and are uniquely paired with the semiconductor columns (3), D) growing an active zone (5), which is designed to generate radiation, and a doped semiconductor layer (6) on the semiconductor casings (4) such that the active zone (5) and the doped semiconductor layer (6) replicate an upper face (40) of the semiconductor casings (4), and E) applying a light-permeable electrode layer (7) onto the doped semiconductor layer (6).
(FR) Dans un mode de réalisation, le procédé est adapté à la fabrication de diodes électroluminescentes et comprend les étapes consistant à : A) produire une surface de croissance (20), B) faire croître une pluralité de colonnes de semi-conducteur (3) sur la surface de croissance (20), les colonnes de semi-conducteur (3) possédant des faces latérales (32) orientées transversalement à la surface de croissance (20) et des côtés supérieurs (33) opposés à la surface de croissance (20), C) faire croître des gaines de semi-conducteur (4) sur les colonnes de semi-conducteur (3) de sorte que les gaines de semi-conducteur (4) recouvrent les faces latérales (32), aient la forme de pyramides et soient associées de manière biunivoque aux colonnes de semi-conducteur (3), D) faire croître une zone active (5) adaptée pour générer un rayonnement et une couche de semi-conductrice dopée (6) sur les gaines de semi-conducteur (4) de sorte que la zone active (5) et la couche de semi-conducteur dopée (6) simule un côté supérieur (40) des gaines de semi-conducteur (4), et E) appliquer une couche d’électrode (7) transparente à la lumière sur la couche de semi-conducteur dopé (6).
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)