Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persists, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2017094336) MAGNETIC FIELD DETECTION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2017/094336 International Application No.: PCT/JP2016/078454
Publication Date: 08.06.2017 International Filing Date: 27.09.2016
IPC:
H01L 43/08 (2006.01) ,G01R 15/20 (2006.01) ,G01R 33/09 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43
Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08
Magnetic-field-controlled resistors
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
R
MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
15
Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/-G01R29/, G01R33/-G01R33/26176
14
Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
20
using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
R
MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33
Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02
Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06
using galvano-magnetic devices
09
Magneto-resistive devices
Applicants:
アルプス電気株式会社 ALPS ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 1-7, Yukigaya-otsukamachi, Ota-ku, Tokyo 1458501, JP
Inventors:
井出 洋介 IDE, Yosuke; JP
高橋 彰 TAKAHASHI, Akira; JP
Agent:
野▲崎▼ 照夫 NOZAKI, Teruo; JP
Priority Data:
2015-23684503.12.2015JP
Title (EN) MAGNETIC FIELD DETECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE CHAMP MAGNÉTIQUE
(JA) 磁界検知装置
Abstract:
(EN) [Problem] To provide a magnetic field detection device in which the orientations of fixed magnetic layers in at least two magnetoresistance effect elements provided in a magnetic detection unit are aligned, thus enabling simultaneous formation of the magnetoresistance effect elements on the same substrate, the magnetic field detection device also being resistant to strong magnetic fields. [Solution] A first detection unit 1A and a second detection unit 1B are provided under a current path through which a current to be measured flows. The first detection unit 1A includes a first coil C1 and magnetoresistance effect elements R2, R3, and the second detection unit 1B is provided with a second coil C2 and magnetoresistance effect elements R1, R4. The magnetoresistance effect elements R1, R2, R3, R4 constitute a bridge circuit. Switch units SW1, SW2 enable the two coils C1, C2 to be connected in series or parallel.
(FR) Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention consiste à fournir un dispositif de détection de champ magnétique pour lequel les orientations de couches magnétiques fixes dans au moins deux éléments à effet de magnétorésistance disposés dans une unité de détection magnétique sont alignées, ce qui permet une formation simultanée les éléments à effet de magnétorésistance sur le même substrat, le dispositif de détection de champ magnétique étant également résistant à des champs magnétiques intenses. La solution consiste en une première unité de détection (1A) et en une seconde unité de détection (1B) qui sont disposées selon un trajet de courant à travers lequel circule un courant qui doit être mesuré. La première unité de détection (1A) comprend une première bobine (C1) et des éléments à effet de magnétorésistance (R2, R3) et la seconde unité de détection (1B) est pourvue d'une seconde bobine (C2) et d'éléments à effet de magnétorésistance (R1, R4). Les éléments à effet de magnétorésistance (R1, R2, R3, R4) constituent un circuit en pont. Des unités de commutation (SW1, SW2) permettent aux deux bobines (C1, C2) d'être raccordées en série ou en parallèle.
(JA) 【課題】 磁気検知部に設けられる少なくとも2個の磁気抵抗効果素子の固定磁性層の向きを揃えることで、同じ基板上に磁気抵抗効果素子を同時に形成でき、しかも強磁場の耐性を備えた磁界検知装置を提供する。 【解決手段】 被測定電流が流れる電流路の下に第1の検知ユニット1Aと第2の検知ユニット1Bが設けられている。第1の検知ユニット1Aは、第1のコイルC1と磁気抵抗効果素子R2,R3を有し、第2の検知ユニット1Bは、第2のコイルC2と磁気抵抗効果素子R1,R4を備えている。そして各磁気抵抗効果素子R1,R2,R3,R4でブリッジ回路が構成されている。また切替え部SW1,SW2によって2個のコイルC1,C2を直列に接続することができ、並列に接続することもできる。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)