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1. (WO2017092094) WAVELENGTH TUNABLE SEMICONDUCTOR LASER
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Pub. No.: WO/2017/092094 International Application No.: PCT/CN2015/098545
Publication Date: 08.06.2017 International Filing Date: 24.12.2015
IPC:
H01S 5/125 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
10
Construction or shape of the optical resonator
12
the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feed-back lasers (DFB-lasers)
125
Distributed Bragg reflector lasers (DBR-lasers)
Applicants:
武汉电信器件有限公司 WUHAN TELECOMMUNICATION DEVICES CO., LTD. [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 洪山区邮科院路88号 No. 88 Youkeyuan Road, Hongshan District Wuhan, Hubei 430074, CN
Inventors:
赵建宜 ZHAO, Jianyi; CN
王任凡 WANG, Renfan; CN
张明洋 ZHANG, Mingyang; CN
Agent:
北京汇泽知识产权代理有限公司 BEIJING HUIZE INTELLECTUAL PROPERTY LAW LLC; 中国北京市 海淀区知春路6号锦秋国际大厦A座18层张瑾 ZHANG, Jin A18, Horizon International Tower, No.6, Zhichun Road, Haidian District Beijing 100088, CN
Priority Data:
201510856643.030.11.2015CN
Title (EN) WAVELENGTH TUNABLE SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER SEMI-CONDUCTEUR À LONGUEUR D'ONDE RÉGLABLE
(ZH) 一种可调谐波长半导体激光器
Abstract:
(EN) A wavelength-tunable semiconductor laser comprising an active area (10), a phase area (20), and a grating area (30). The grating area (30) comprises a sampling Bragg grating. The reflection spectrum of the sampling Bragg grating is a comb-like reflection spectrum, where the center wavelength thereof is away from an active area gain peak. The active area (10), the phase area (20), and the grating area (30) are longitudinally connected in series. In the active area (10), a reflective film (12) is coated onto a portion of an end surface and, at the same time, a low-reflective film (32) is coated onto an end surface of the grating area (30). The areas respectively are provided with electrodes (11, 21, and 31). The active area electrode (11) is used for current injection for the active area. The phase area electrode (21) and the grating area electrode (31) are used for current injection for a waveguide or changing the refractive index of a phase area waveguide and that of a grating area waveguide by means of heating. Solved is the technical problem with using a common lithography technique to manufacture quickly tunable semiconductor lasers of different initial wavelengths and facilitates the manufacturing of complex photonic integrated components.
(FR) La présente invention concerne un laser semi-conducteur à longueur d'onde réglable comportant une zone active (10), une zone de phase (20) et une zone de grille (30). La zone de grille (30) comprend un réseau de Bragg d'échantillonnage. Le spectre de réflexion du réseau de Bragg d'échantillonnage est un spectre de réflexion en forme de peigne, la longueur d'onde centrale de ce dernier étant éloignée d'un pic de gain de zone active. La zone active (10), la zone de phase (20) et la zone de grille (30) sont raccordées longitudinalement en série. Dans la zone active (10), un film réfléchissant (12) est revêtu sur une partie d'une surface d'extrémité et, en même temps, un film faiblement réfléchissant (32) est revêtu sur une surface d'extrémité de la zone de grille (30). Les zones sont respectivement pourvues d'électrodes (11, 21 et 31). L'électrode de zone active (11) est utilisée pour une injection de courant dans la zone active. L'électrode de zone de phase (21) et l'électrode de zone de grille (31) sont utilisées pour une injection de courant dans un guide d'ondes ou changer l'indice de réfraction d'un guide d'ondes de zone de phase et celui d'un guide d'ondes de zone de grille par chauffage. Le problème technique est résolu avec l'utilisation d'une technique de lithographie pour fabriquer des lasers semi-conducteurs rapidement réglables ayant des longueurs d'onde initiales différentes et facilite la fabrication de composants photoniques intégrés complexes.
(ZH) 一种可调谐波长半导体激光器,包括有源区(10)、相位区(20)及光栅区(30),光栅区(30)包含取样布拉格光栅,取样布拉格光栅反射谱为梳状反射谱,其中心波长远离有源区增益峰;其中,有源区(10)、相位区(20)及光栅区(30)依序纵向相连,在有源区(10)中,有一部分端面镀有反射膜(12),同时光栅区(30)的端面镀有低反射膜(32);各区分别具有电极(11、21、31),有源区电极(11)用于有源区电流注入,相位区电极(21)及光栅区电极(31)用于对波导进行电流注入或者通过加热的方式改变相位区波导及光栅区波导的折射率。解决了使用普通光刻工艺低成本快速制备不同起始波长的可调谐半导体激光器的技术问题,利于复杂光子集成器件的制作。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)