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1. (WO2017092093) MOLECULAR BEAM EPITAXY GROWTH METHOD FOR HIGH-SPEED VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER
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Pub. No.: WO/2017/092093 International Application No.: PCT/CN2015/098541
Publication Date: 08.06.2017 International Filing Date: 24.12.2015
IPC:
H01S 5/183 (2006.01) ,H01S 5/343 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
10
Construction or shape of the optical resonator
18
Surface-emitting lasers (SE-lasers)
183
having a vertical cavity (VCSE-lasers)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
30
Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34
comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers (SQW-lasers), multiple quantum well lasers (MQW-lasers), graded index separate confinement heterostructure lasers (GRINSCH-lasers)
343
in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser
Applicants:
武汉电信器件有限公司 WUHAN TELECOMMUNICATION DEVICES CO., LTD. [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 洪山区邮科院路88号 No. 88 Youkeyuan Road, Hongshan District Wuhan, Hubei 430074, CN
Inventors:
李密锋 LI, Mifeng; CN
汤宝 TANG, Bao; CN
Agent:
北京汇泽知识产权代理有限公司 BEIJING HUIZE INTELLECTUAL PROPERTY LAW LLC; 中国北京市 海淀区知春路6号锦秋国际大厦A座18层张瑾 ZHANG,Jin A18, Horizon International Tower, No.6, Zhichun Road, Haidian District Beijing 100088, CN
Priority Data:
201510856825.830.11.2015CN
Title (EN) MOLECULAR BEAM EPITAXY GROWTH METHOD FOR HIGH-SPEED VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER
(FR) PROCÉDÉ DE CROISSANCE ÉPITAXIALE PAR FAISCEAU MOLÉCULAIRE POUR LASER À CAVITÉ VERTICALE ÉMETTANT PAR LA SURFACE RAPIDE
(ZH) 一种高速垂直腔面发射激光器的分子束外延生长方法
Abstract:
(EN) Provided is a molecular beam epitaxy growth method for a high-speed vertical-cavity surface-emitting laser.The method comprises performing a deoxidation pretreatment on a GaAs substrate (100), and epitaxially growing a GaAs buffer layer, a lower DBR (20), an active region (10), an oxidation confinement layer (34) and an upper DBR (30) sequentially. In the growth process, the active region (10) is sandwiched between the upper DBR (30) and the lower DBR (20), and a ä-doping method is applied to the middle position of a potential barrier (11) of the active region (1 0 ), wherein carbon (C) is adopted as a doping source, and after the completion of ä-doping, the growth is stopped for a period of time under the protecti on of As.By means of the above-mentioned method, the technical problems of threshold reduction, differential gain increase and non-linear gain compression reduction are solved, and the good effects of optical loss reduction, line width decrease and output power and intrinsic bandwidth enhancment are achieved.
(FR) L'invention concerne un procédé de croissance épitaxiale par faisceau moléculaire pour un laser à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) rapide.Le procédé comprend la réalisation d'un prétraitement de désoxydation sur un substrat GaAs (100), et la croissance épitaxiale d'une couche tampon GaAs, d'un réflecteur de Bragg réparti (DBR) inférieur (20), d'une zone active (10), d'une couche de confinement d'oxydation (34) et d'un DBR supérieur (30) séquentiellement. Dans le processus de croissance, la zone active (10) est intercalée entre le DBR supérieur (30) et le DBR inférieur (20), et un procédé de delta-dopage est appliqué à la position centrale d'une barrière de potentiel (11) de la zone active (10), le carbone (C) étant adopté comme source de dopage, et après l'achèvement du delta-dopage, la croissance est arrêtée pendant une période de temps sous la protection d'arsenic (As).Au moyen du procédé susmentionné, les problèmes techniques de réduction du seuil, d'augmentation du gain différentiel et de réduction de la compression de gain non linéaire sont résolus, et de bons effets de réduction des pertes optiques, de diminution de largeur de raie et d'amélioration de la puissance de sortie et de la largeur de bande intrinsèque sont obtenus.
(ZH) 一种高速垂直腔面发射激光器的分子束外延生长方法,该方法包括先将GaAs衬底(100)脱氧预处理后,依次外延生长GaAs缓冲层、下DBR(20)、有源区(10)、氧化限制层(34)及上DBR(30),其生长过程中,有源区(10)夹在上DBR(30)、下DBR(20)之间,有源区(10)势垒(11)中间位置采用δ掺杂方法,其中掺杂源选用碳(C),δ掺杂结束后在As保护下停顿生长一段时间,藉由上述方法,解决了降低阈值、增加差分增益以及降低非线性增益压缩的技术问题,达成了减小光学损耗以及线宽,增强输出功率和本征带宽的良好效果。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)