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1. (WO2017091396) DIELECTRIC SUBSTRATE COMPRISING UNSINTERED POLYTETRAFLUOROETHYLENE AND METHODS OF MAKING THE SAME
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Pub. No.: WO/2017/091396 International Application No.: PCT/US2016/062152
Publication Date: 01.06.2017 International Filing Date: 16.11.2016
IPC:
H01B 3/00 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
B
CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
3
Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
Applicants:
ROGERS CORPORATION [US/US]; One Technology Drive Post Office Box 188 Rogers, CT 06263-0188, US
Inventors:
HORN III, Allen F.; US
CAISSE, Christopher J.; US
LAFRANCE, Patricia A.; US
Agent:
REIMER, Leah M.; US
Priority Data:
62/259,68025.11.2015US
Title (EN) DIELECTRIC SUBSTRATE COMPRISING UNSINTERED POLYTETRAFLUOROETHYLENE AND METHODS OF MAKING THE SAME
(FR) SUBSTRAT DIÉLECTRIQUE COMPRENANT DU POLYTÉTRAFLUOROÉTHYLÈNE NON FRITTÉ ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abstract:
(EN) In an embodiment, a dielectric substrate comprises an unsintered polytetrafluoroethylene; and a high dielectric constant filler, wherein the dielectric constant of the high dielectric constant filler is greater than or equal to 35; wherein the dielectric substrate has a specific gravity of greater than or equal to 90% of a calculated theoretical density of the dielectric substrate, wherein the theoretical specific gravity is calculated based on a measured specific gravity of the high dielectric constant filler, the specific gravity of the unsintered polytetrafluoroethylene, and the relative weight fractions of the unsintered polytetrafluoroethylene and the high dielectric constant filler; and wherein the dielectric substrate has a dielectric constant of greater than or equal to 11.5 as determined at a frequency of 10 GHz.
(FR) Dans un mode de réalisation, la présente invention concerne un substrat diélectrique qui comprend un polytétrafluoroéthylène non fritté ; et une charge à constante diélectrique élevée, la constante diélectrique de la charge à constante diélectrique élevée étant supérieure ou égale à 35 ; le substrat diélectrique ayant une densité relative supérieure ou égale à 90 % d'une densité théorique calculée du substrat diélectrique, la densité relative théorique étant calculée sur la base d'une densité relative mesurée de la charge à constante diélectrique élevée, la densité relative du polytétrafluoroéthylène non fritté, et les fractions en poids relatives du polytétrafluoroéthylène non fritté et de la charge à constante diélectrique élevée ; et le substrat diélectrique ayant une constante diélectrique supérieure ou égale à 11,5 telle que déterminée à une fréquence de 10 GHz.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
KR2020180002320CN109155163