Processing

Please wait...

Settings

Settings

1. WO2017076763 - MAGNETIC TUNNEL DIODE AND MAGNETIC TUNNEL TRANSISTOR

Publication Number WO/2017/076763
Publication Date 11.05.2017
International Application No. PCT/EP2016/076041
International Filing Date 28.10.2016
IPC
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43
Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08
Magnetic-field-controlled resistors
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43
Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
10
Selection of materials
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29
Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66
Types of semiconductor device
H01L 43/08 (2006.01)
H01L 43/10 (2006.01)
H01L 29/66 (2006.01)
CPC
H01F 10/3254
H01F 10/3268
H01L 29/66984
H01L 43/02
H01L 43/08
H01L 43/10
Applicants
  • FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Johnen-Straße 52428 Jülich, DE
Inventors
  • ŞAŞIOĞLU, Ersoy; DE
  • BLÜGEL, PROF. DR., Stefan; DE
Agents
  • GILLE HRABAL; Brucknerstr. 20 40593 Düsseldorf, DE
Priority Data
10 2015 221 521.003.11.2015DE
Publication Language German (DE)
Filing Language German (DE)
Designated States
Title
(DE) MAGNETISCHE TUNNELDIODE UND MAGNETISCHER TUNNELTRANSISTOR
(EN) MAGNETIC TUNNEL DIODE AND MAGNETIC TUNNEL TRANSISTOR
(FR) DIODE TUNNEL MAGNÉTIQUE ET TRANSISTOR TUNNEL MAGNÉTIQUE
Abstract
(DE)
Offenbart wird eine magnetische Tunneldiode (100) mit einem Tunnelkontakt (160) umfassend eine halbmetallische Magnetschicht (108), eine Tunnelbarriere (110) und eine Schicht (112) aus einem Halbleiter ohne Spin-Anregungslücke, sowie ein magnetischer Tunneltransistor (200) mit einer Schichtanordnung umfassend eine Emitter-Halbmetall-Magnetschicht (208), eine Emitter-Basis-Tunnelbarriere (210), eine Halbleiterschicht ohne Spin-Anregungslücke (212), eine Basis-Kollektor-Tunnelbarriere (214) und eine Kollektor-Halbmetall-Magnetschicht (216). Nichtflüchtigkeit, Rekonfigurierbarkeit der Durchlassrichtung sowie der inverse Tunnelmagnetowiderstandseffekt können so erzielt werden.
(EN)
Disclosed is a magnetic tunnel diode (100) having a tunnel junction (160) that comprises a semimetallic magnetic layer (108), a tunnel barrier (110) and a layer (112) made of a semiconductor without any spin excitation gap. Also disclosed is a magnetic tunnel transistor (200) having a layer arrangement that comprises an emitter-semimetal magnetic layer (208), an emitter-base tunnel barrier (210), a semiconductor layer without any spin excitation gap (212), a base-collector tunnel barrier (214) and a collector-semimetal magnetic layer (216). This makes it possible to achieve non-volatility, reconfigurability of the forward direction, and the inverse tunnel magnetoresistance effect.
(FR)
L'invention concerne une diode tunnel magnétique (100) pourvue d'un contact tunnel (160) comprenant une couche magnétique semi-métallique (108), une barrière tunnel (110) et une couche (112) constituée d'un semi-conducteur sans gap de spin, ainsi qu'un transistor tunnel magnétique (200) présentant un ensemble de couches comprenant une couche magnétique semi-métallique émetteur (208), une barrière tunnel base-émetteur (210), une couche de semi-conducteur sans gap de spin (212), une barrière tunnel base-collecteur (214) et une couche magnétique semi-métallique collecteur (216). Cette configuration permet d'obtenir une non-volatilité, une reconfigurabilité du sens passant, ainsi que l'effet de magnétorésistance tunnel inverse.
Latest bibliographic data on file with the International Bureau