(EN) An LED epitaxial structure and a manufacturing method, comprising in an ascending sequence: a substrate (1), first electrically-conductive-type semiconductor layers (3 and 4), a superlattice (5), a multi-quantum well layer (6) having V-shaped pits, a hole injection layer (8), and second electrically-conductive-type semiconductor layers (9 and 10). The hole injection layer (8) is double-hexagonal cones filling the V-shaped pits and embedded into the second electrically-conductive-type semiconductor layers (9 and 10).
(FR) L'invention concerne une structure épitaxiale de DEL et un procédé de fabrication, comprenant dans une séquence ascendante : un substrat (1), des premières couches semi-conductrices de type électroconductrices (3 et 4), un super-réseau (5), une couche à puits quantiques multiples (6) ayant des creux en forme de V, une couche d'injection de trous (8) et des secondes couches semiconductrices de type électroconductrices (9 et 10). La couche d'injection de trous (8) se présente sous la forme de cônes hexagonaux doubles remplissant les creux en forme de V et incorporés dans les secondes couches semi-conductrices de type électroconductrices (9 et 10).
(ZH) 一种LED外延结构及制作方法,从下至上依次包括:衬底(1)、第一导电类型半导体层(3,4)、超晶格(5)、具有V型坑的多量子阱层(6)、空穴注入层(8)以及第二导电类型半导体层(9,10),所述空穴注入层(8)呈双六角锥,填满所述V型坑并嵌入第二导电类型半导体层(9,10)。