(EN) The invention relates to a transistor which includes a stack of semiconductor materials including, in particular, a first sub-layer (16), carefully arranged and with a specific thickness, splitting the buffer layer (12) into two portions (12a; 12b) and including a third material (Mat3) so that the difference in the piezoelectric and spontaneous polarisation coefficients between the material of the buffer layer and the third material (Mat3) induces, at a first interface (17) between the first portion of the buffer layer (12a) and the first sub-layer (16), a first fixed surface electric charge generating an electrical field directed along the axis z so as to allow the two-dimensional gas (9) to be contained in the channel.
(FR) L'invention concerne un transistor comprenant un empilement de matériaux semi-conducteurs comprenant notamment une première sous-couche (16), judicieusement disposée et d'épaisseur spécifique, scindant la couche tampon (12) en deux parties (12a; 12b) et comprenant un troisième matériau (Mat3) de sorte que la différence de coefficients de polarisation spontanée et piézoélectrique entre le matériau de la couche tampon et le troisième matériau (Mat3) induit à une première interface (17) entre la première partie de la couche tampon (12a) et la première sous-couche (16) une première charge électrique fixe surfacique générant un champ électrique dirigé selon l'axe z de manière à permettre le confinement du gaz bidimensionnel (9) dans le canal.