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1. (WO2017069869) WORD LINE DEPENDENT CHANNEL PRE-CHARGE FOR MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/069869    International Application No.:    PCT/US2016/051362
Publication Date: 27.04.2017 International Filing Date: 12.09.2016
IPC:
G11C 16/34 (2006.01), G11C 16/10 (2006.01)
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024 (US)
Inventors: PANG, Liang; (US).
YUAN, Jiahui; (US).
DONG, Yingda; (US)
Agent: MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus LLP 575 Market Street, Suite 3750 San Francisco, California 94105 (US)
Priority Data:
14/886,532 19.10.2015 US
Title (EN) WORD LINE DEPENDENT CHANNEL PRE-CHARGE FOR MEMORY
(FR) PRÉCHARGE DE CANAUX DÉPENDANT DES LIGNES DE MOTS POUR MÉMOIRE
Abstract: front page image
(EN)Techniques are provided for programming a memory device. A pre-charge phase is used to boost the channel of an unselected NAND string by allowing a bit line voltage to reach the channel. To maximize the channel pre-charge while also minimizing program disturb, a drain-side dummy word line voltage is controlled based on the position of the selected word line. The drain-side dummy word line voltage can be relatively high or low when the selected word line is relatively far from or close to the drain-side dummy word line, respectively. When the drain-side dummy word line voltage is relatively high, the bit line voltage can easily pass through and boost the channel. When the drain-side dummy word line voltage is relatively low, program disturb of drain-side data word lines is reduced due to a smaller channel gradient and a corresponding reduced amount of hot carriers.
(FR)L'invention concerne des techniques de programmation d'un dispositif de mémoire. Une phase de précharge est utilisée pour surélever le canal d'une chaîne NAND non sélectionnée en permettant à une tension de ligne de bits d'atteindre le canal. Pour maximiser la précharge de canal tout en minimisant également la perturbation du programme, une tension de ligne de mots factice côté drain est commandée d'après la position de la ligne de mots sélectionnée. La tension de ligne de mots factice côté drain peut être relativement haute ou basse lorsque la ligne de mots sélectionnée est relativement éloignée ou proche de la ligne de mots factice côté drain, respectivement. Lorsque la tension de ligne de mots factice côté drain est relativement haute, la tension de ligne de bits peut facilement passer et surélever le canal. Lorsque la tension de ligne de mots factice côté drain est relativement basse, la perturbation du programme de lignes de mots de données côté drain est réduite en raison d'un plus petit gradient de canal et d'une quantité réduite correspondante de porteurs chauds.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)