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1. (WO2017069221) FILM FORMATION APPARATUS AND FILM FORMATION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/069221    International Application No.:    PCT/JP2016/081183
Publication Date: 27.04.2017 International Filing Date: 20.10.2016
IPC:
C23C 14/12 (2006.01), C23C 14/24 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventors: FUJIMOTO Madoka; (JP).
FUSE Takashi; (JP)
Agent: NAGAI Hiroshi; (JP).
NAKAMURA Yukitaka; (JP).
SATO Yasukazu; (JP).
ASAKURA Satoru; (JP).
SUZUKI Hiroyasu; (JP)
Priority Data:
2015-208417 22.10.2015 JP
Title (EN) FILM FORMATION APPARATUS AND FILM FORMATION METHOD
(FR) APPAREIL DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 膜形成装置及び膜形成方法
Abstract: front page image
(EN)In order to provide a film formation apparatus capable of forming a high-density, self-organizing monomolecular film, provided is a film formation apparatus (100) for forming a self-organizing monomolecular film on a film formation surface (S1) of a substrate (S), the film formation apparatus (100) comprising: a chamber (2) for accommodating the substrate (S), the chamber (2) having facing inner wall surfaces (210) that face the film formation surface (S1) of the substrate (S) accommodated in the chamber (2) and in which the facing inner wall surfaces are ground potential surfaces; a starting material gas feed unit (4) for feeding a starting material gas of the self-organizing monomolecular film into the chamber (2); and electrodes (31) for forming an electric field in the direction toward the facing inner wall surfaces of the chamber (2) from the film formation surface (S1) of the substrate (S) accommodated in the chamber (2) or in the direction toward the film formation surface (S1) of the substrate (S) accommodated in the chamber (2) from the facing inner wall surfaces of the chamber (2), the electrodes (31) being positioned between the film formation surface (S1) of the substrate (S) accommodated in the chamber (2) and the facing inner wall surfaces of the chamber (2).
(FR)Cette invention vise à fournir un appareil de formation de film capable de former un film monomoléculaire auto-organisé. Plus particulièrement, l'invention concerne un appareil de formation de film (100) conçu pour former un film monomoléculaire auto-organisé sur une surface de formation de film (S1) d'un substrat (S), l'appareil de formation de film (100) comprenant : une chambre (2) pour accueillir le substrat (S), la chambre (2) possédant des surfaces de paroi internes opposées (210) orientées vers la surface de formation de film (S1) du substrat (S) accueilli dans la chambre (2), les surfaces de paroi internes opposées étant des surfaces de potentiel de mise à la terre ; une unité d'alimentation en matériau gazeux de départ (4) pour alimenter un matériau gazeux de départ du film monomoléculaire auto-organisé dans la chambre (2) ; et des électrodes (31) pour former un champ électrique dans la direction des surfaces de paroi internes opposées de la chambre (2) à partir de la surface de formation de film (S1) du substrat (S) accueilli dans la chambre (2) ou dans la direction de surface de formation de film (S1) du substrat (S) accueilli dans la chambre (2) à partir des surfaces de paroi internes opposées de la chambre (2), les électrodes (31) étant positionnées entre la surface de formation de film (S1) du substrat (S) accueilli dans la chambre (2) et les surfaces de paroi internes opposées de la chambre (2).
(JA)高密度な自己組織化単分子膜を形成可能な膜形成装置を提供するために、基板(S)の膜形成面(S1)に自己組織化単分子膜を形成する膜形成装置(100)であって、基板(S)を収容するチャンバ(2)であって、チャンバ(2)内に収容された基板(S)の膜形成面(S1)に対向する対向内壁面(210)を有し、対向内壁面が接地電位面であるチャンバ(2)と、チャンバ(2)内に自己組織化単分子膜の原料ガスを供給する原料ガス供給部(4)と、チャンバ(2)内に収容された基板(S)の膜形成面(S1)とチャンバ(2)の対向内壁面との間に位置し、チャンバ(2)内に収容された基板(S)の膜形成面(S1)からチャンバ(2)の対向内壁面へ向かう方向に又はチャンバ(2)の対向内壁面からチャンバ(2)内に収容された基板(S)の膜形成面(S1)へ向かう方向に電界を形成する電極(31)とを備える、膜形成装置(100)を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)