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Pub. No.:    WO/2017/069073    International Application No.:    PCT/JP2016/080650
Publication Date: 27.04.2017 International Filing Date: 17.10.2016
H02M 1/08 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H02M 7/48 (2007.01), H03K 17/16 (2006.01), H03K 17/567 (2006.01)
Applicants: HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD. [JP/JP]; 2-2, Omika-cho 5-chome, Hitachi-shi, Ibaraki 3191221 (JP)
Inventors: TAKEUCHI Yujiro; (JP).
MORI Mutsuhiro; (JP)
Agent: ISONO INTERNATIONAL PATENT OFFICE, P.C.; Hulic Toranomon Building, 1-18, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2015-206056 20.10.2015 JP
(JA) 電力変換装置
Abstract: front page image
(EN)An electric power converter (100) which is provided with a switching element (101) and a rectifying element (102) that is connected in series to the switching element (101). This electric power converter (100) has a configuration wherein an external electrical load (103) is connected to the connection point of the switching element (101) and the rectifying element (102). The switching element (101) is composed of an insulating gate type semiconductor element that has a first gate terminal (105) and a second gate terminal (106). The rectifying element (102) is composed of a diode that has a Schottky junction which uses silicon carbide as a semiconductor base. Different driving signals are applied to the first gate terminal (105) and the second gate terminal (106), respectively.
(FR)L'invention concerne un convertisseur de puissance électrique (100) qui est pourvu d'un élément de commutation (101) et d'un élément de redressement (102) qui est connecté en série à l'élément de commutation (101). Ce convertisseur de puissance électrique (100) a une configuration dans laquelle une charge électrique externe (103) est connectée au point de connexion de l'élément de commutation (101) et de l'élément de redressement (102). L'élément de commutation (101) est constitué d'un élément semi-conducteur du type à grille isolante qui a une première borne de grille (105) et une seconde borne de grille (106). L'élément de redressement (102) est constitué d'une diode qui a une jonction de Schottky qui utilise du carbure de silicium en tant que base de semi-conducteur. Différents signaux d'attaque sont respectivement appliqués à la première borne de grille (105) et à la seconde borne de grille (106).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)