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1. (WO2017069063) RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION CONTAINING LONG-CHAIN ALKYL GROUP-CONTAINING NOVOLAC
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/069063    International Application No.:    PCT/JP2016/080575
Publication Date: 27.04.2017 International Filing Date: 14.10.2016
IPC:
G03F 7/11 (2006.01), C08G 8/10 (2006.01), C08G 12/08 (2006.01), G03F 7/26 (2006.01)
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP)
Inventors: SAITO, Daigo; (JP).
ENDO, Takafumi; (JP).
KARASAWA, Ryo; (JP).
SAKAMOTO, Rikimaru; (JP)
Agent: HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Priority Data:
2015-205743 19.10.2015 JP
Title (EN) RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION CONTAINING LONG-CHAIN ALKYL GROUP-CONTAINING NOVOLAC
(FR) COMPOSITION FILMOGÈNE DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE CONTENANT DE LA NOVOLAQUE CONTENANT UN GROUPE ALKYLE À CHAÎNE LONGUE
(JA) 長鎖アルキル基含有ノボラックを含むレジスト下層膜形成組成物
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a resist underlayer film-forming composition for obtaining improved filling performance with respect to a pattern during baking by enhancing thermal reflow property of a polymer, and thereby enabling formation of a highly flat coating film on a substrate. [Solution] This resist underlayer film-forming composition comprises a novolac resin that is obtained from a reaction between an aromatic compound (A) and an aldehyde (B) having a formyl group bound to a secondary or tertiary carbon atom of an alkyl group having 2-26 carbon atoms. The novolac resin includes a unit structure represented by formula (1) (in formula (1), A represents a divalent group derived from an aromatic compound having 6-40 carbon atoms; b1 represents an alkyl group having 1-16 carbon atoms; b2 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1-9 carbon atoms). "A" is a divalent group derived from an aromatic compound containing an amino group and/or a hydroxyl group. Also provided is a method for forming a resist pattern used for production of a semiconductor, the method comprising a step for forming an underlayer film by applying and baking, on a semiconductor substrate, the resist underlayer film-forming composition.
(FR)Le problème décrit par la présente invention est de fournir une composition filmogène de sous-couche de réserve pour obtenir une meilleure performance de remplissage par rapport à un motif pendant la cuisson en améliorant une propriété de refusion thermique d'un polymère et, ainsi, de permettre la formation d'un film de revêtement extrêmement plat sur un substrat. La solution selon l'invention porte sur une composition filmogène de sous-couche de réserve qui comprend une résine novolaque qui est obtenue à partir d'une réaction entre un composé aromatique (A) et un aldéhyde (B) ayant un groupe formyle lié à un atome de carbone secondaire ou tertiaire d'un groupe alkyle ayant 2 à 26 atomes de carbone. La résine novolaque comprend une structure unitaire représentée par la formule (1) (dans la formule (1), A représente un groupe divalent dérivé d'un composé aromatique ayant 6 à 40 atomes de carbone ; b1 représente un groupe alkyle ayant 1 à 16 atomes de carbone ; b2 représente un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle ayant 1 à 9 atomes de carbone). "A" est un groupe divalent dérivé d'un composé aromatique contenant un groupe amino et/ou un groupe hydroxyle. L'invention concerne également un procédé pour former un motif de réserve utilisé pour la production d'un semi-conducteur, le procédé comprenant une étape pour former un film de sous-couche par application et cuisson, sur un substrat semi-conducteur, de la composition filmogène de sous-couche de réserve.
(JA)【課題】 ポリマーの熱リフロー性を高めることで焼成時のパターンへの充填性を改善し、基板上に平坦化性の高い塗膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物。 【解決手段】 芳香族化合物(A)と炭素原子数2~26のアルキル基の第2級炭素原子又は第3級炭素原子に結合したホルミル基を有するアルデヒド(B)との反応により得られるノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物。ノボラック樹脂が下記式(1):(式(1)中、Aは炭素原子数6~40の芳香族化合物から誘導される二価基を示し、bは炭素原子数1~16のアルキル基を示し、bは水素原子又は炭素原子数1~9のアルキル基を示す。)で表される単位構造を含む。Aがアミノ基、ヒドロキシル基、又はその両者を含む芳香族化合物から誘導される二価基である。レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成して下層膜を形成する工程を含む半導体の製造に用いられるレジストパターンの形成方法。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)