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1. (WO2017069005) METHOD FOR MANUFACTURING POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/069005    International Application No.:    PCT/JP2016/079968
Publication Date: 27.04.2017 International Filing Date: 07.10.2016
IPC:
H01L 23/473 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: ARATANI, Shuzo; (JP).
KIKUCHI, Masao; (JP).
KUMADA, Sho; (JP)
Agent: INABA, Tadahiko; (JP).
MURAKAMI, Kanako; (JP).
MATSUI, Jumei; (JP).
KURATANI, Yasutaka; (JP)
Priority Data:
2015-206317 20.10.2015 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) 電力半導体装置の製造方法および電力半導体装置
Abstract: front page image
(EN)A method for manufacturing a power semiconductor device (1) comprises: a step for joining a substrate (5) to a first joining surface of a heat sink (7) using a joining member (6), the substrate (5) being provided with a semiconductor element (3), and the heat sink (7) comprising a non-magnetic metal material; a step for forming solder (12) around the opening of a cooler (8) comprising metal and having a cross section assuming a concave shape, the cooler (8) having a side wall (91) provided around the opening; and a step for melting the solder using heat generated by induction heating of a metal member included in the cooler (8) while a second joining surface provided on the rear side of the first joining surface of the heat sink (7) is caused to contact the solder (12), so that the heat sink (7) and the cooler (8) are soldered together. It is possible to increase the pressure resistance and heat resistance of a sealing part of the cooler (8) of the power semiconductor device (1) and to increase reliability without remelting of the joining member (6) with which the substrate (5) was joined.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur de puissance (1), qui comprend : une étape consistant à assembler un substrat (5) à une première surface d'assemblage d'un dissipateur thermique (7) à l'aide d'un élément d'assemblage (6), le substrat (5) étant pourvu d'un élément à semi-conducteur (3), et le dissipateur thermique (7) comprenant un matériau métallique non magnétique ; une étape consistant à former une brasure (12) autour de l'ouverture d'un refroidisseur (8) comprenant du métal et présentant une section transversale prenant une forme concave, le refroidisseur (8) comportant une paroi latérale (91) située autour de l'ouverture ; et une étape consistant à faire fondre la brasure à l'aide de chaleur générée par chauffage par induction d'un élément métallique compris dans le refroidisseur (8) tout en amenant une seconde surface d'assemblage, située du côté arrière de la première surface d'assemblage du dissipateur thermique (7), à entrer en contact avec la brasure (12), de manière à souder le dissipateur thermique (7) et le refroidisseur (8) l'un à l'autre. Il est possible d'augmenter la résistance à la pression et la résistance à la chaleur d'une partie d'étanchéité du refroidisseur (8) du dispositif à semi-conducteur de puissance (1) et d'améliorer la fiabilité sans refusion de l'élément d'assemblage (6) avec lequel le substrat (5) a été assemblé.
(JA)電力半導体装置(1)の製造方法は、非磁性金属材料から成るヒートシンク(7)の第1の接合面に半導体素子(3)が設けられた基板(5)を接合材(6)によって接合する工程と、開口部を囲って設けられた側壁(91)を有し断面が凹状を呈する金属から成る冷却器(8)の開口部の周囲にはんだ(12)を形成する工程と、ヒートシンク(7)の第1の接合面の裏側に設けられた第2の接合面をはんだ(12)に接触させつつ、冷却器(8)に含まれる金属部材を誘導加熱して発生した熱によりはんだを溶融させてヒートシンク(7)と冷却器(8)とをはんだ接合する工程と、を備える。電力半導体装置(1)の冷却器(8)の封止部を高耐圧化および高耐熱化し、基板(5)を接合した接合材(6)の再溶融が無く信頼性を高くすることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)