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1. (WO2017068835) ELASTIC WAVE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/068835    International Application No.:    PCT/JP2016/073303
Publication Date: 27.04.2017 International Filing Date: 08.08.2016
IPC:
H03H 9/25 (2006.01), H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/64 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventors: MIMURA, Masakazu; (JP)
Agent: MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Priority Data:
2015-208924 23.10.2015 JP
Title (EN) ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 弾性波装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is an elastic wave device in which variation in the size of an SH-wave spurious response does not readily occur, even if the thickness of a frequency adjustment film is changed. In this elastic wave device 1, an IDT electrode 3, a dielectric film 6, and a frequency adjustment film 7 are provided on a LiNbO3 substrate 2. The Euler angles of the LiNbO3 substrate 2 are (within the range of 0˚±5˚, within the range of θ±1.5˚, within the range of 0˚±10˚). The IDT electrode 3 is provided with a main electrode. When T represents the film thickness of the main electrode, said film thickness being obtained as a result of being normalized by a wavelength λ determined by the electrode finger pitch of the IDT electrode 3, and r represents the density ratio of the material of the main electrode to Pt, the film thickness T of the main electrode and θ in the Euler angles satisfy formula (1), namely θ=-0.05˚/(T/r-0.04)+31.35˚.
(FR)L’invention fournit un dispositif à ondes élastiques dans lequel la dimension d’un parasite d’onde SH est peu susceptible de varier, y compris en cas d’un changement d’épaisseur d’un film d’ajustement de fréquence. Le dispositif à ondes élastiques (1) est tel qu’une électrode transducteur interdigital (IDT) (3), un film diélectrique (6) et le film d’ajustement de fréquence (7) sont agencés sur un substrat de LiNbO (2). Lorsque les angles d'Euler du substrat de LiNbO (2) se trouvent à l’intérieur d’une plage de 0°±5°, d’une plage de θ±1,5° et d’une plage de 0°±10°, lorsque l’électrode transducteur interdigital (3) possède une électrode principale, lorsque l’épaisseur d’un film de l’électrode principale constitué par égalisation selon une longueur d’onde λ déterminée par un pas de doigts d’électrode de l’électrode transducteur interdigital (3), est représentée par T, et lorsque le rapport de densité du matériau de l’électrode principale et d’un Pt est représenté par r, alors l’épaisseur T de l’électrode principale et les angles d'Euler θ satisfont la formule (1). Formule (1) θ=-0,05°/(T/r-0,04)+31,35°
(JA)周波数調整膜の膜厚が変化した場合であっても、SH波スプリアスの大きさの変動が生じ難い、弾性波装置を提供する。 LiNbO基板2上に、IDT電極3、誘電体膜6及び周波数調整膜7が設けられている、弾性波装置1。LiNbO基板2のオイラー角が(0°±5°の範囲内、θ±1.5°の範囲内、0°±10°の範囲内)であり、IDT電極3は主電極を有し、主電極のIDT電極3の電極指ピッチで定まる波長λで規格化してなる膜厚をT、主電極の材料とPtとの密度比をrとしたときに、主電極の膜厚Tと、オイラー角のθとが、式(1)を満たしている。 式(1):θ=-0.05°/(T/r-0.04)+31.35°
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)