WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2017068531) DRIVING CIRCUIT WITH ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SUPPRESSION EFFECT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/068531    International Application No.:    PCT/IB2016/056325
Publication Date: 27.04.2017 International Filing Date: 21.10.2016
IPC:
H05B 33/08 (2006.01), H02M 1/44 (2007.01)
Applicants: GOOEE LIMITED [GB/GB]; Trident House Ground Floor Trident House Victoria Street ST ALBANS, Hertfordshire, AL1 3HZ (GB)
Inventors: CHEN, Chun-Kuang; (CN).
CHEN, Tung-Yu; (CN)
Priority Data:
104134591 21.10.2015 TW
Title (EN) DRIVING CIRCUIT WITH ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SUPPRESSION EFFECT
(FR) CIRCUIT D'ATTAQUE À EFFET DE SUPPRESSION DES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES
Abstract: front page image
(EN)A driving circuit with electromagnetic interference suppression comprises a driving unit, a power switching unit and a constant current unit. The first terminal of an inductor of the power switching unit is coupled with the driving unit; the second terminal thereof is coupled with a diode and a first transistor respectively; the third terminal of the first transistor is coupled with an ground terminal; a first impedance element is connected with the first terminal or the second terminal of the diode; a second impedance element is connected with the first terminal or the third terminal of the first transistor; the first terminal of a third impedance element is connected with the second terminal of the first transistor, and the second terminal of the third impedance element is coupled with the driving unit.
(FR)L'invention concerne un circuit d'attaque à suppression des interférences électromagnétiques, qui comprend une unité d'attaque, une unité de commutation de courant et une unité à courant constant. La première borne d'une bobine d'inductance de l'unité de commutation de courant est couplée à l'unité d'attaque ; sa seconde borne est respectivement couplée à une diode et à un premier transistor ; la troisième borne du premier transistor est couplée à une borne de terre ; un premier élément d'impédance est connecté à la première borne ou la seconde borne de la diode ; un deuxième élément d'impédance est connecté à la première borne ou la troisième borne du premier transistor ; la première borne d'un troisième élément d'impédance est connectée à la seconde borne du premier transistor, et la deuxième borne du troisième élément d'impédance est couplée à l'unité d'attaque.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)