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1. (WO2017068527) THERMOELECTRIC GENERATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/068527    International Application No.:    PCT/IB2016/056318
Publication Date: 27.04.2017 International Filing Date: 20.10.2016
IPC:
H01L 27/16 (2006.01), H01L 35/32 (2006.01)
Applicants: CONSORZIO DELTA TI RESEARCH [IT/IT]; Via Vittor Pisani 16 20124 Milano MI (IT)
Inventors: MASCOLO, Danilo; (IT).
BUOSCIOLO, Antonietta; (IT).
LATESSA, Giuseppe; (IT).
GAMMARIELLO, Giuseppe; (IT).
GIUSTI, Marco; (IT).
GISON, Italo; (IT)
Agent: BARBARO, Gaetano; (IT).
CONCONE, Emanuele; (IT).
MONTELATICI, Linda; (IT).
PIZZOLI, Antonio; (IT).
SPINA, Alessandro; (IT)
Priority Data:
102015000064890 23.10.2015 IT
Title (EN) THERMOELECTRIC GENERATOR
(FR) GÉNÉRATEUR THERMOÉLECTRIQUE
Abstract: front page image
(EN)A thermoelectric generator of compact size, having a simple structure configured for increasing the conversion efficiency of thermal energy into electric energy, so as it is possible to transform into electric current also as amount of heat per unit surface greater than thin film prior art devices, has a base silicon wafer and a cover silicon wafer, wherein the cover silicon wafer is facing said base silicon wafer in such a way that the respective top contacts are in contact and the space between the cover silicon wafer and the base silicon wafer is a space in which vacuum is made or a gas is present, in particular air.
(FR)L'invention concerne un générateur thermoélectrique de taille compacte, ayant une structure simple, conçu pour augmenter le rendement de conversion d'énergie thermique en énergie électrique, de sorte qu'il est possible de transformer en courant électrique également lorsque la quantité de chaleur par surface unitaire est supérieure à celle des dispositifs à couches minces de l'art antérieur, qui comporte une tranche de silicium de base et une tranche de silicium de couvercle, laquelle tranche de silicium de couvercle est tournée vers ladite tranche de silicium de base de telle sorte que les contacts supérieurs respectifs sont en contact et l'espace entre la tranche de silicium de couvercle et la tranche de silicium de base est un espace dans lequel un vide est réalisé ou un gaz est présent, notamment de l'air.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Italian (IT)