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1. (WO2017068268) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND ASSOCIATED PRODUCTION METHOD
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Pub. No.: WO/2017/068268 International Application No.: PCT/FR2016/052673
Publication Date: 27.04.2017 International Filing Date: 17.10.2016
IPC:
H03H 3/10 (2006.01) ,H03H 9/02 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3
Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007
for the manufacture of electromechanical resonators or networks
08
for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
10
for obtaining desired frequency or temperature coefficient
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
H
IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9
Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
02
Details
Applicants: SOITEC[FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 Bernin, FR
Inventors: GUENARD, Pascal; FR
RADU, Ionut; FR
Agent: BREESE, Pierre; FR
Priority Data:
155999220.10.2015FR
Title (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND ASSOCIATED PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Abstract:
(EN) The invention relates to a production method for a surface acoustic wave device, remarkable in that it comprises the following steps: • a step of providing a piezoelectric substrate (1) comprising a transducer (2) arranged on the main front face (3); • a step of depositing a dielectric encapsulation layer (4) on the main front face (3) of the piezoelectric substrate (1) and on the transducer (2); • a step of assembling the dielectric encapsulation layer (4) with the main front face (6) of a support substrate (5) having a coefficient of thermal expansion less than that of the piezoelectric substrate (1). The invention further relates to a surface acoustic wave device comprising a layer of piezoelectric material equipped with a transducer (2) on a main front face (3), arranged on a substrate support (5) of which the coefficient of thermal expansion is less than that of the piezoelectric material, remarkable in that the transducer (2) is arranged in a dielectric encapsulation layer (4), between the layer (1) of piezoelectric material and the support substrate (5).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à ondes acoustiques de surface, remarquable en ce qu' il comprend les étapes suivantes : • une étape de fourniture d'un substrat piézoélectrique (1) comportant un transducteur (2) disposé sur une face principale avant (3); • une étape de dépôt d'une couche diélectrique d' encapsulation (4) sur la face principale avant (3) du substrat piézoélectrique (1) et sur le transducteur (2); · une étape d'assemblage de la couche diélectrique d' encapsulation (4) à une face principale avant (6) d'un substrat support (5) présentant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du substrat piézoélectrique (1). L' invention concerne en outre un dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant une couche de matériau piézoélectrique munie d'un transducteur (2) sur une face principale avant (3), disposée sur un substrat support (5) dont le coefficient de dilatation thermique est inférieur à celui du matériau piézoélectrique, remarquable en ce que le transducteur (2) est disposé dans une couche diélectrique d' encapsulation (4), entre la couche (1) de matériau piézoélectrique et le substrat support (5).
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)