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1. (WO2017068114) STRUCTURES AND METHODS FOR CONTROLLING RELEASE OF TRANSFERABLE SEMICONDUCTOR STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/068114    International Application No.:    PCT/EP2016/075358
Publication Date: 27.04.2017 International Filing Date: 21.10.2016
IPC:
B81C 99/00 (2010.01)
Applicants: X-CELEPRINT LIMITED [IE/IE]; Lee Maltings Dyke Parade Cork (IE)
Inventors: BOWER, Christopher; (IE).
MEITL, Matthew; (IE)
Agent: GRAHAM WATT & CO LLP; St Botolph's House 7-9 St Botolph's Road Sevenoaks Kent TN13 3AJ (GB)
Priority Data:
62/245,055 22.10.2015 US
14/947,596 20.11.2015 US
Title (EN) STRUCTURES AND METHODS FOR CONTROLLING RELEASE OF TRANSFERABLE SEMICONDUCTOR STRUCTURES
(FR) STRUCTURES ET PROCÉDÉS DE COMMANDE DE LA LIBÉRATION DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES TRANSFÉRABLES
Abstract: front page image
(EN)The disclosed technology relates generally to methods and systems for controlling the release of micro devices. Prior to transferring micro devices to a destination substrate, a native substrate is formed with micro devices thereon. The micro devices can be distributed over the native substrate and spatially separated from each other by an anchor structure. The anchors are physically connected/secured to the native substrate. Tethers physically secure each micro device to one or more anchors, thereby suspending the micro device above the native substrate. In certain embodiments, single tether designs are used to control the relaxation of built-in stress in releasable structures on a substrate, such as Si (1 0 0). Single tether designs offer, among other things, the added benefit of easier break upon retrieval from native substrate in micro assembly processes. In certain embodiments, narrow tether designs are used to avoid pinning of the undercut etch front.
(FR)La présente invention concerne généralement des procédés et des systèmes permettant de commander la libération de micro-dispositifs. Avant de transférer des micro-dispositifs vers un substrat de destination, on forme un substrat natif sur lequel se trouvent des micro-dispositifs. Les micro-dispositifs peuvent être distribués sur le substrat natif et séparés spatialement les uns des autres par une structure d'ancrage. Les ancrages sont physiquement raccordés/fixés sur le substrat natif. Des attaches fixent physiquement chaque micro-dispositif à un ou plusieurs ancrages, suspendant ainsi le micro-dispositif au-dessus du substrat natif. Selon certains modes de réalisation, des conceptions à attache unique sont utilisées pour commander la réduction de contrainte intégrée dans des structures libérables sur un substrat, par exemple sous forme de Si (1 0 0). Des conceptions à attache unique offrent, entre autres, l'avantage supplémentaire de rupture plus facile lors de la récupération à partir de substrat natif dans des procédés de micro-assemblage. Selon certains modes de réalisation, des conceptions à attache étroite sont utilisées pour éviter l'accrochage du front de gravure dégagé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)