WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2017067627) QUANTUM-DOT-BASED LIGHT EMITTER, MORE PARTICULARLY FOR SINGLE PHOTON EMISSION, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/067627    International Application No.:    PCT/EP2016/001614
Publication Date: 27.04.2017 International Filing Date: 28.09.2016
IPC:
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/18 (2010.01)
Applicants: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. [DE/DE]; Rudower Chaussee 17 12489 Berlin (DE)
Inventors: BRANDT, Oliver; (DE).
FERNÁNDEZ GARRIDO, Sergio; (DE).
GEELHAAR, Lutz; (DE).
MARQUARDT, Oliver; (DE).
ZETTLER, Johannes; (DE)
Agent: HERZT, Oliver; V. Bezold & Partner Patentanwälte - PartG mbB Akademiestraße 7 80799 München (DE)
Priority Data:
10 2015 013 765.4 23.10.2015 DE
Title (DE) QUANTENPUNKT-BASIERTER LICHTEMITTER, INSBESONDERE ZUR EINZELPHOTONENEMISSION, UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) QUANTUM-DOT-BASED LIGHT EMITTER, MORE PARTICULARLY FOR SINGLE PHOTON EMISSION, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À POINT QUANTIQUE, EN PARTICULIER POUR L’ÉMISSION DE PHOTONS UNIQUES, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(DE)Es wird eine lichtemittierende Halbleitereinrichtung (100), umfassend mindestens einen Nanodraht (10) beschrieben, der mindestens einen (AIxGa1-xN)-basierten Nanodrahtabschnitt (12) mit 0 ≤ x ≤ 1, aufweist und sich entlang einer Axialrichtung (z) erstreckt, wobei der Nanodraht (10) mindestens einen InNbasierten Quantenpunkt (11) aufweist, der entlang der Axialrichtung (z) mindestens einseitig von dem mindestens einen Nanodrahtabschnitt (12) des Nanodrahts (10) begrenzt ist, und der Nanodraht (10) eine Dicke kleiner oder gleich einer kritischen Dicke aufweist, bei welcher der mindestens eine Quantenpunkt (11) und der benachbarte Nanodrahtabschnitt (12) versetzungsfrei aneinander angrenzen. Es wird auch ein Verfahren zur Herstellung der lichtemittierenden Halbleitereinrichtung (100) beschrieben.
(EN)Described is a light-emitting semiconductor device (100) comprising at least one nanowire (10) having at least one (AI xGa1-xN)-based nanowire portion (12), where 0 ≤ x ≤ 1, and extending along an axial direction (z), wherein the nanowire (10) has at least one InN-based quantum dot (11), which is delimited at least on one side along the axial direction (z) by the at least one nanowire portion (12) of the nanowire (10), and the nanowire (10) has a thickness less than or equal to a critical thickness, at which the at least one quantum dot (11) and the adjacent nanowire portion (12) adjoin one another without dislocation. A method for producing the light-emitting semiconductor device (100) is also described.
(FR)L’invention concerne un dispositif à semi-conducteur (100) émettant de la lumière, qui comprend au moins un nanofil (10) présentant au moins un segment de nanofil à base de (AIxGa1-xN) (12), où 0 ≤ x ≤ 1, et s'étendant le long d’une direction axiale (z), le nanofil (10) comprenant au moins un point quantique (11) à base de nitrure d’indium qui est délimité, dans la direction axiale (z), au moins d'un côté par ledit au moins un segment de nanofil (12) du nanofil (10), et ledit nanofil (10) présentant une épaisseur inférieure ou égale à une épaisseur critique, où ledit au moins un point quantique (11) et le segment de nanofil (12) adjacent se touchent l’un l’autre sans dislocation. L’invention concerne en outre un procédé de fabrication dudit dispositif à semiconducteur (100) émettant de la lumière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)