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1. (WO2017067333) PATTERNED SUBSTRATE, PREPARATION METHOD, AND A LIGHT-EMITTING DIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/067333    International Application No.:    PCT/CN2016/097799
Publication Date: 27.04.2017 International Filing Date: 01.09.2016
IPC:
H01L 33/12 (2010.01), H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No.1721-1725,Lvling Road, Siming District Xiamen, Fujian 361009 (CN)
Inventors: XU, Zhibo; (CN).
LEE, Cheng-Hung; (CN).
HSIEH, Hsiang-Lin; (CN).
WANG, Xiao; (CN)
Priority Data:
201510691884.4 23.10.2015 CN
Title (EN) PATTERNED SUBSTRATE, PREPARATION METHOD, AND A LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) SUBSTRAT À MOTIFS, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE
(ZH) 图形化衬底、制备方法及发光二极管
Abstract: front page image
(EN)A patterned substrate (10), a preparation method, and a light-emitting diode. A dielectric layer (22) is deposited on the surface of a substrate with multiple protrusions (11), and by utilizing the amorphous body characteristics of the dielectric layer (22), aluminum nitride layers (42) deposited on side surfaces (112) and top surface platforms (113) of the protrusions by means of a PVD method are amorphous, while aluminum nitride (41) covering smooth surfaces (111) of protrusion gaps is polycrystal consisting of micro crystal particles. Thereafter, when the substrate (10) is applied to an MOCVD method for depositing gallium nitride-based epitaxial layers (50, 60, 70, 80) to form a light-emitting diode, by utilizing the characteristics that the polycrystalline aluminum nitride (41) on the smooth surfaces grows more easily and the amorphous aluminum nitride (42) is uneasily to deposit the gallium nitride-based epitaxial layers, the epitaxial layers selectively grow on the aluminum nitride layers (41) on the smooth surfaces (111) of the protrusion gaps, and are uneasy to grow on the side surfaces (112) and the top surface platforms (113) of the protrusions, so that the growth of the gallium nitride-based epitaxial layers on the side surfaces is reduced, the quantity of defects when the gallium nitride-based epitaxial layers in lateral growth and the gallium nitride-based epitaxial layers in positive growth on the smooth surfaces (111) are merged is reduced, and the performance of a finally-formed semiconductor element is improved. Moreover, the growth of the lateral gallium nitride-based epitaxial layers is inhibited, so that the gallium nitride-based epitaxial layers in positive growth are merged into a smooth surface more easily.
(FR)La présente invention concerne un substrat à motifs (10), un procédé de préparation, et une diode électroluminescente. Une couche diélectrique (22) est déposée sur la surface d'un substrat avec une pluralité de saillies (11), et grâce à l'utilisation des caractéristiques de corps amorphe de la couche diélectrique (22), des couches de nitrure d'aluminium (42) déposées sur des plateformes de surface latérale (112) et de surface supérieure (113) des saillies au moyen d'un procédé de dépôt physique en phase vapeur sont amorphes, tandis que le nitrure d'aluminium (41) recouvrant des surfaces lisses (111) des intervalles de saillies est un polycristal constitué de particules microcristallines. Ensuite, lorsque le substrat (10) est soumis à un procédé de dépôt chimique en phase vapeur par composés organométalliques (MOCVD ) pour le dépôt de couches épitaxiales à base de nitrure de gallium (50, 60, 70, 80) pour former une diode électroluminescente, grâce à l'utilisation des caractéristiques de croissance plus facile de nitrure d'aluminium polycristallin (41) sur les surfaces lisses et du nitrure d'aluminium amorphe (42) et de dépôt moins facile des couches épitaxiales à base de nitrure de gallium, la croissance des couches de nitrure d'aluminium (41) sur les surfaces lisses (111) des intervalles de saillies est sélective, et leur croissance est moins facile sur les plateformes des surfaces latérales (112) et de la surface supérieure (113) des saillies, de sorte que la croissance des couches épitaxiales à base de nitrure de gallium sur des surfaces latérales est réduite, la quantité de défauts lors de la fusion de couches épitaxiales à base de nitrure de gallium en croissance latérale et des couches épitaxiales à base de nitrure de gallium en croissance positive sur les surfaces lisses (111) est réduite, et la performance de l'élément semi-conducteur formé comme produit final est améliorée. En outre, la croissance des couches épitaxiales latérales à base de nitrure de gallium est interdite, de sorte que les couches épitaxiales à base de nitrure de gallium en croissance positive sont fusionnées en une surface lisse plus facilement.
(ZH)一种图形化衬底(10)、制备方法及发光二极管,通过在具有复数个凸起(11)的衬底表面沉积介质层(22),利用介质层(22)的非晶体特性,使得PVD法沉积于凸起侧面(112)和顶面平台(113)的氮化铝层(42)为非晶态,而覆盖于凸起间隙的平整表面(111)的氮化铝(41)是由微小晶粒组成的多晶。随后该衬底(10)应用于MOCVD法沉积氮化镓基外延层(50,60,70,80)形成发光二极管时,利用在平整面(111)上的氮化铝(41)多晶态更易生长,而非晶态氮化铝(42)不易沉积氮化镓基外延层的特性,外延层选择性生长于凸起间隙的平整表面(111)氮化铝层(41)上,而凸起侧面(112)和顶面平台(113)不易生长,减小侧面氮化镓基外延层生长,降低侧向生长的氮化镓基外延层与平整表面(111)上正向生长的氮化镓基外延层合并时缺陷数量,提升最终形成的半导体元件的性能。同时,由于抑制了侧向氮化镓基外延层生长,正向生长的氮化镓基外延层更容易合并成一个平整表面。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)