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1. (WO2017067314) PHASE CHANGE MATERIAL FOR PHASE CHANGE MEMORY AND PREPARATION METHOD THEREFOR
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Pub. No.: WO/2017/067314 International Application No.: PCT/CN2016/096334
Publication Date: 27.04.2017 International Filing Date: 23.08.2016
IPC:
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 27/24 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45
Solid state devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27
Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
24
including solid state components for rectifying, amplifying, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier
Applicants: SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES[CN/CN]; No.865, Changning Road, Changning District Shanghai 200050, CN
Inventors: RAO, Feng; CN
SONG, Zhitang; CN
DING, Keyuan; CN
WANG, Yong; CN
Agent: J.Z.M.C. PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; YU Mingwei, Room5022 No.335, Guoding Road, Yangpu District Shanghai 200433, CN
Priority Data:
201510697470.223.10.2015CN
Title (EN) PHASE CHANGE MATERIAL FOR PHASE CHANGE MEMORY AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) MATÉRIAU À CHANGEMENT DE PHASE POUR MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 用于相变存储器的相变材料及其制备方法
Abstract:
(EN) A phase change material for a phase change memory and a preparation method therefor. A general chemical formula of the phase change material for a phase change memory is Sc100x-y-zGexSbyTez, 0≤x≤60, 0≤y≤90, 0≤z≤65, and 0<100-x-y-z<100. The phase change material for a phase change memory a capability of repeatedly changing phases. The Sc100x-y-zGexSbyTez has two states, namely a high-resistance-value state and a low-resistance-value state, and the high-resistance-value state and the low-resistance-value state can be reversibly converted by applying pulse electrical signals, so as to satisfy basic requirements of a storage material for a phase change memory, and accordingly the material is a novel storage material. The stability, the phase change speed and the fatigue cycle feature of the material are improved, pulse voltage signals or pulse laser can be used to drive the phase change material to be reversibly converted among different structure states, and enable performance of the phase change material to reversibly changed, thereby implementing information storage of the phase change memory.
(FR) Matériau à changement de phase pour mémoire à changement de phase et son procédé de préparation. Une formule chimique générale du matériau à changement de phase pour mémoire à changement de phase est Sc100 x-y-zGexSbyTez, 0≤x≤60, 0≤y≤90, 0≤z≤65, et 0<100-x-y-z<100. Le matériau à changement de phase pour mémoire à changement de phase possède une aptitude à changer de phases de façon répétée. Le Sc100 x-y-zGexSbyTez possède deux états, à savoir un état à haute valeur de résistance et un état à faible valeur de résistance, et l'état à haute valeur de résistance et l'état à faible valeur de résistance peuvent être convertis de façon réversible en appliquant des signaux électriques pulsés, de façon à satisfaire les exigences de base d'un matériau de stockage pour mémoire à changement de phase, ce qui fait du matériau un nouveau matériau de stockage. La stabilité, la vitesse de changement de phase et la caractéristique de cycle de fatigue du matériau sont améliorées, des signaux de tension pulsés ou un laser à impulsions peuvent être utilisés pour exciter le matériau à changement de phase de telle façon qu'il soit converti de façon réversible entre différents états de structure, et permettent de modifier de façon réversible les performances du matériau à changement de phase, mettant en œuvre un stockage d'informations de la mémoire à changement de phase.
(ZH) 一种用于相变存储器的相变材料及其制造方法,用于相变存储器的相变材料的化学通式为Sc 100 -x-y-zGe xSb yTe z,其中,0≤x≤60,0≤y≤90,0≤z≤65,0<100-x-y-z<100。该用于相变存储的相变材料,具有反复相变的能力;Sc 100 -x-y-zGe xSb yTe z具有高阻和低阻两种不同阻值的状态,且高阻值态与低阻值态之间可以通过施加脉冲电信号实现可逆转换,满足相变存储器存储材料的基本要求,是一种新型的存储材料;材料的热稳定性、相变速度以及疲劳循环特征得到了提高;可采用脉冲电压或脉冲激光驱动相变材料在不同的结构状态之间发生可逆转变,同时使相变材料的性能发生可逆变化,从而实现相变存储器的信息存储。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)