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1. (WO2017067039) DEVICE FOR TRANSCEIVING OLED-ON-SILICON IMAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2017/067039 International Application No.: PCT/CN2015/095512
Publication Date: 27.04.2017 International Filing Date: 25.11.2015
IPC:
H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 51/52 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN DIANBOND TECHNOLOGY CO., LTD[CN/CN]; No. 8 Langshan Road 1, Hi-tech Industrial Park North, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518057, CN
Inventors: LIU, Ping; CN
Agent: CHINA TRUER IP; 10A3, Jiangxi Shiji Haoting Building (Jiangxi Building), Shennan Road South, Chegong Miao, Futian District Shenzhen, Guangdong 518040, CN
Priority Data:
201510684007.420.10.2015CN
Title (EN) DEVICE FOR TRANSCEIVING OLED-ON-SILICON IMAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF D'ÉMISSION-RÉCEPTION D'IMAGE DELO SUR SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种硅基OLED图像收发装置及其制作方法
Abstract: front page image
(EN) Provided is a device for transceiving an OLED-on-silicon image and manufacturing method therefor. The device for transceiving an OLED-on-silicon image comprises a substrate (1), a plurality of photodiodes for light sensing, and a plurality of OLEDs for light emitting. Each OLED comprises a metal interconnection line anode (8), a hole transport layer (12), an organic light emitting layer (9), an electron transport layer (13), and a transparent cathode layer (10). The hole transport layer (12), the organic light emitting layer (9), the electron transport layer (13), and the transparent cathode layer (10) are sequentially formed on the metal interconnection line anode (8). The organic light emitting layer (9) is located only above a region corresponding to the metal interconnection line anode (8) and does not extend to a position above a region corresponding to the photodiodes. The plurality of photodiodes and the organic light emitting layers (9) of the plurality of OLEDs are arranged to form a pixel matrix of the device for transceiving an image. The device for transceiving an OLED-on-silicon image has high photodiode sensibility.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'émission-réception d'image DELO sur silicium et son procédé de fabrication. Le dispositif d'émission-réception d'image DELO sur silicium comporte un substrat (1), une pluralité de photodiodes pour la détection de lumière et une pluralité de diodes électroluminescentes organiques (DELO) pour l'émission de lumière. Chaque DELO comporte une anode à ligne d'interconnexion métallique (8), une couche de transport de trous (12), une couche émettrice de lumière organique (9), une couche de transport d'électrons (13) et une couche de cathode transparente (10). La couche de transport de trous (12), la couche émettrice de lumière organique (9), la couche de transport d'électrons (13) et la couche de cathode transparente (10) sont formées séquentiellement sur l'anode à ligne d'interconnexion métallique (8). La couche émettrice de lumière organique (9) est située uniquement au-dessus d'une région correspondant à l'anode à ligne d'interconnexion métallique (8) et ne s'étend pas jusqu'à une position au-dessus d'une région correspondant aux photodiodes. La pluralité de photodiodes et les couches émettrices de lumière organiques (9) de la pluralité de DELO sont agencées de manière à former une matrice de pixels du dispositif d'émission-réception d'image. Le dispositif d'émission-réception d'image DELO sur silicium possède une haute sensibilité des photodiodes.
(ZH) 提供了一种硅基OLED图像收发装置及其制作方法,硅基OLED图像收发装置包括基板(1)、多个用于感光的光电二极管和多个用于发光的OLED;所述OLED包括金属互连线阳极(8)、空穴传输层(12)、有机发光层(9)、电子传输层(13)和透明阴极层(10),所述金属互连线阳极(8)上按顺序依次形成所述空穴传输层(12)、有机发光层(9)、电子传输层(13)和透明阴极层(10),所述有机发光层(9)仅位于所述金属互连线阳极(8)所对应的区域之上,不延伸至所述光电二极管所对应的区域之上;多个光电二极管和多个OLED的有机发光层(9)排列形成图像收发装置的像素矩阵。该硅基OLED图像收发装置,具有较高的光电二极管的灵敏度。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)