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1. (WO2017066448) DEPOSITION SYSTEM FOR GROWTH OF INCLINED C-AXIS PIEZOELECTRIC MATERIAL STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/066448    International Application No.:    PCT/US2016/056840
Publication Date: 20.04.2017 International Filing Date: 13.10.2016
IPC:
H01J 37/34 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01), C23C 14/22 (2006.01), G01N 29/02 (2006.01), H03H 9/17 (2006.01)
Applicants: QORVO US, INC. [US/US]; 7628 Thorndike Road Greensboro, North Carolina 27409 (US)
Inventors: MCCARRON, Kevin; (US).
BELSICK, John; (US)
Agent: ADAMS Matthew, W.; (US)
Priority Data:
62/241,264 14.10.2015 US
Title (EN) DEPOSITION SYSTEM FOR GROWTH OF INCLINED C-AXIS PIEZOELECTRIC MATERIAL STRUCTURES
(FR) SYSTÈME DE DÉPÔT POUR LA CROISSANCE DE STRUCTURES DE MATÉRIAU PIÉZOÉLECTRIQUE À AXE C INCLINÉ
Abstract: front page image
(EN)Systems and methods for growing hexagonal crystal structure piezoelectric material with a c-axis that is tilted (e.g., 25 to 50 degrees) relative to normal of a face of a substrate are provided. A deposition system (100) includes a linear sputtering apparatus (154), a translatable multi-aperture collimator (170), and a translatable substrate table (148) arranged to hold multiple substrates, with the substrate table and/or the collimator being electrically biased to a nonzero potential. An enclosure includes first and second deposition stations each including a linear sputtering apparatus, a collimator, and a deposition aperture (150).
(FR)L'invention concerne des systèmes et des procédés pour la croissance de matériau piézoélectrique de structure cristalline hexagonale avec un axe c qui est incliné (par exemple, de 25 à 50 degrés) par rapport à la normale d'une face d'un substrat. Un système de dépôt (100) comprend un appareil de pulvérisation linéaire (154), un collimateur à ouvertures multiples translatable (170), et une table de substrat translatable (148) disposée pour maintenir de multiples substrats, la table de substrat et/ou le collimateur étant électriquement sollicités vers un potentiel non nul. Une enceinte comprend des première et seconde stations de dépôt comprenant chacune un appareil de pulvérisation linéaire, un collimateur et une ouverture de dépôt (150).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)