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1. (WO2017066059) PHOTOACTIVE DEVICES AND MATERIALS
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Pub. No.: WO/2017/066059 International Application No.: PCT/US2016/055496
Publication Date: 20.04.2017 International Filing Date: 05.10.2016
IPC:
H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 31/0256 (2006.01)
Applicants: ASM IP HOLDING B.V.[NL/NL]; Versterkerstraat 8 NL-1322 AP Almere, NL
Inventors: BLOMBERG, Tom, E.; NL
HUOTARI, Hannu; NL
Agent: ALTMAN, Daniel, E.; US
Priority Data:
14/885,72116.10.2015US
Title (EN) PHOTOACTIVE DEVICES AND MATERIALS
(FR) DISPOSITIFS ET MATÉRIAUX PHOTOACTIFS
Abstract: front page image
(EN) Deposition processes are disclosed herein for depositing thin films comprising a dielectric transition metal compound phase and a conductive or semiconducting transition metal compound phase on a substrate in a reaction space. Deposition processes can include a plurality of super-cycles. Each super-cycle may include a dielectric transition metal compound sub-cycle and a reducing sub-cycle. The dielectric transition metal compound sub-cycle may include contacting the substrate with a dielectric transition metal compound. The reducing sub-cycle may include alternately and sequentially contacting the substrate with a reducing agent and a nitrogen reactant. The thin film may comprise a dielectric transition metal compound phase embedded in a conductive or semiconducting transition metal compound phase.
(FR) L'invention concerne des procédés de dépôt permettant de déposer des couches minces comprenant une phase de composé de métal de transition diélectrique et une phase de composé de métal de transition conductrice ou semi-conductrice sur un substrat dans un espace de réaction. Les procédés de dépôt peuvent comprendre une pluralité de super-cycles. Chaque super-cycle peut comprendre un sous-cycle de composé de métal de transition diélectrique et un sous-cycle de réduction. Le sous-cycle de composé de métal de transition diélectrique peut consister à mettre en contact le substrat avec un composé de métal de transition diélectrique. Le sous-cycle de réduction peut comprendre la mise en contact alternative et séquentielle du substrat avec un agent réducteur et un réactif d'azote. La couche mince peut comprendre une phase de composé de métal de transition diélectrique incorporée dans une phase de composé de métal de transition conductrice ou semi-conductrice.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)