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1. (WO2017065963) CONTINUOUS PROCESS FOR PRODUCING ELECTRODES FOR SUPERCAPACITORS HAVING HIGH ENERGY DENSITIES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/065963    International Application No.:    PCT/US2016/053669
Publication Date: 20.04.2017 International Filing Date: 26.09.2016
IPC:
H01G 4/28 (2006.01), H01G 4/30 (2006.01), H01G 9/145 (2006.01)
Applicants: NANOTEK INSTRUMENTS, INC. [US/US]; 1240 McCook Ave Dayton, Ohio 45404 (US) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
ZHAMU, Aruna [US/US]; (US) (US only).
JANG, Bor Z. [US/US]; (US) (US only)
Inventors: ZHAMU, Aruna; (US).
JANG, Bor Z.; (US)
Agent: RUTISER, Claire; Nanotek Instruments. INC 1240 McCook Avenue Dayton, Ohio 45404 (US)
Priority Data:
14/756,777 13.10.2015 US
Title (EN) CONTINUOUS PROCESS FOR PRODUCING ELECTRODES FOR SUPERCAPACITORS HAVING HIGH ENERGY DENSITIES
(FR) PROCESSUS CONTINU DE PRODUCTION D'ÉLECTRODES POUR SUPERCONDENSATEURS PRÉSENTANT DES DENSITÉS D'ÉNERGIE ÉLEVÉES
Abstract: front page image
(EN)A process for producing a supercapacitor cell, comprising: (a) Continuously feeding a conductive porous layer to a cathode material impregnation zone, wherein the conductive porous layer contains interconnected electron-conducting pathways and at least 70% by volume of pores; (b) Impregnating a wet cathode active material mixture (containing a cathode active material and an optional conductive additive mixed with a liquid electrolyte) into pores of this porous layer to form a cathode electrode; (c) Preparing an anode electrode in a similar manner; and (d) Stacking an anode electrode, a porous separator, and a cathode electrode to form the supercapacitor, wherein the anode electrode and/or the cathode electrode has a thickness no less than 100 µm; and/or wherein the anode or cathode active material constitutes an electrode active material loading no less than 7 mg/cm2 in the anode or the cathode.
(FR)L'invention concerne un processus de production d'une cellule de supercondensateur, comportant les étapes consistant à: (a) introduire en continu une couche poreuse conductrice dans une zone d'imprégnation de matériau de cathode, la couche poreuse conductrice contenant des passages interconnectés conduisant les électrons et au moins 70% en volume de pores; (b) imprégner, à l'aide d'un mélange humide de matériau actif pour cathode (contenant un matériau actif pour cathode et un additif conducteur optionnel mélangés à un électrolyte liquide), des pores de ladite couche poreuse pour former une électrode de cathode; (c) préparer une électrode d'anode de manière analogue; et (d) empiler une électrode d'anode, un séparateur poreux et une électrode de cathode pour former le supercondensateur, l'électrode d'anode et/ou l'électrode de cathode présentant une épaisseur d'au moins 100 µm; et/ou le matériau actif pour anode ou cathode constituant un chargement de matériau actif pour électrode d'au moins 7 mg/cm2 dans l'anode ou la cathode.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)