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1. (WO2017065921) NANOWIRE CHANNEL STRUCTURES OF CONTINUOUSLY STACKED HETEROGENEOUS NANOWIRES FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/065921    International Application No.:    PCT/US2016/052043
Publication Date: 20.04.2017 International Filing Date: 16.09.2016
Chapter 2 Demand Filed:    14.07.2017    
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventors: XU, Jeffrey, Junhao; (US).
SONG, Stanley, Seungchul; (US).
DU, Yang; (US).
MACHKAOUTSAN, Vladimir; (BE).
BADAROGLU, Mustafa; (US).
YEAP, Choh, Fei; (US)
Agent: TERRANOVA, Steven, N.; (US)
Priority Data:
62/242,170 15.10.2015 US
15/198,892 30.06.2016 US
Title (EN) NANOWIRE CHANNEL STRUCTURES OF CONTINUOUSLY STACKED HETEROGENEOUS NANOWIRES FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES
(FR) STRUCTURES DE CANAL DE NANOFIL DE NANOFILS HÉTÉROGÈNES EMPILÉS EN CONTINU POUR DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE DE MÉTAL COMPLÉMENTAIRE (CMOS)
Abstract: front page image
(EN)Aspects disclosed in the detailed description include nanowire channel structures of continuously stacked heterogeneous nanowires for complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices. Each of the nanowires has a top end portion and a bottom end portion that are narrower than a central portion. Furthermore, vertically adjacent nanowires are interconnected at the narrower top end portions and bottom end portions. This allows for connectivity between stacked nanowires and for having separation areas between vertically adjacent heterogeneous nanowires. Having the separation areas allows for gate material to be disposed over a large area of the heterogeneous nanowires and, therefore, provides strong gate control, a shorter nanowire channel structure, low parallel plate parasitic capacitance, and low parasitic channel capacitance. Having the nanowires be heterogeneous, i.e., fabricated using materials of different etching sensitivity, facilitates forming the particular cross section of the nanowires, thus eliminating the use of sacrificial masks/layers to form the heterogeneous nanowires.
(FR)Les aspects de la présente invention comprennent des structures de canal de nanofil de nanofils hétérogènes empilés en continu pour dispositifs à semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire (CMOS). Chacun des nanofils comporte une partie d'extrémité supérieure et une partie d'extrémité inférieure qui sont plus étroites qu'une partie centrale. En outre, les nanofils verticalement adjacents sont interconnectés au niveau des parties d'extrémité supérieures et des parties d'extrémité inférieures plus étroites. Ceci permet une connectivité entre les nanofils empilés et permet d'avoir des zones de séparation entre les nanofils hétérogènes verticalement adjacents. La présence des zones de séparation permet de disposer le matériau de grille sur une grande surface des nanofils hétérogènes et, par conséquent, fournit une forte commande de grille, une structure de canal de nanofil plus courte, une faible capacité parasite à plaques parallèles, et une faible capacité de canal parasite. Le fait que les nanofils soient hétérogènes, c'est-à-dire, fabriqués à l'aide de matériaux présentant une sensibilité de gravure différente, facilite la formation de la section transversale particulière des nanofils, de façon à éliminer ainsi l'utilisation de masques/couches sacrificiels pour former les nanofils hétérogènes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)