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1. (WO2017065067) ELECTRODE MATERIAL FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR FORMING ELECTRODE PATTERN, AND ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/065067    International Application No.:    PCT/JP2016/079608
Publication Date: 20.04.2017 International Filing Date: 05.10.2016
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventors: UMEDA Kenichi; (JP)
Agent: WATANABE Mochitoshi; (JP).
MIWA Haruko; (JP).
ITOH Hideaki; (JP).
MITSUHASHI Fumio; (JP)
Priority Data:
2015-202977 14.10.2015 JP
Title (EN) ELECTRODE MATERIAL FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR FORMING ELECTRODE PATTERN, AND ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) MATÉRIAU D'ÉLECTRODE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF D'ÉLECTRODE ET TRANSISTOR À COUCHE MINCE ORGANIQUE
(JA) 有機半導体デバイス用電極材料、電極パターンの形成方法および有機薄膜トランジスタ
Abstract: front page image
(EN)The present invention addresses the problem of providing a method for forming an electrode pattern, an organic thin-film transistor, and an electrode material for an organic semiconductor device with which it is possible to form an excellent electrode pattern. This electrode material for an organic semiconductor device is an electrode material that contains inorganic nanoparticles, an organic π-conjugated ligand, and water, wherein the organic π-conjugated ligand has at least one hydrophilic substituent, and the electrode material for an organic semiconductor device contains 0.0005-15% by mass of a fluorine-based surfactant and also contains a surface tension regulator having a permittivity of 20-30.
(FR)La présente invention a pour but de fournir un procédé de formation d'un motif d'électrode, un transistor à couche mince organique et un matériau d'électrode pour dispositif à semi-conducteur organique avec lequel il est possible de former un excellent motif d'électrode. Ce matériau d'électrode pour dispositif à semi-conducteur organique est un matériau d'électrode qui contient des nanoparticules inorganiques, un ligand n-conjugué organique et de l'eau, le ligand n-conjugué organique ayant au moins un substituant hydrophile, ledit matériau d'électrode pour dispositif à semi-conducteur organique contenant de 0,0005 à 15 % en masse d'un tensioactif à base de fluor, ainsi qu'un régulateur de tension superficielle possédant une permittivité de 20 à 30.
(JA)本発明の課題は、優れた電極パターンを形成することができる有機半導体デバイス用電極材料、電極パターンの形成方法および有機薄膜トランジスタを提供することである。 本発明の有機半導体デバイス用電極材料は、無機ナノ粒子、有機π共役系配位子および水を含有する有機半導体デバイス用電極材料であって、 有機π共役系配位子が、親水性の置換基を少なくとも1個有する配位子であり、 フッ素系界面活性剤を0.0005~15質量%含有し、 誘電率が20以上30以下の表面張力調整剤を含有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)