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1. (WO2017065019) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/065019 International Application No.: PCT/JP2016/078982
Publication Date: 20.04.2017 International Filing Date: 30.09.2016
IPC:
H04N 5/359 (2011.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
Inventors: TAKAYA Koji; JP
SUZUKI Ryoji; JP
Agent: NISHIKAWA Takashi; JP
INAMOTO Yoshio; JP
Priority Data:
2015-20388915.10.2015JP
Title (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、および電子装置
Abstract: front page image
(EN) This disclosure relates to a solid-state imaging element which enables a noise component caused by stray light to be accurately extracted so that the noise component can be appropriately removed, and an electronic device. A solid-state imaging element according to an aspect of this disclosure is provided with: a storage unit that stores a signal charge generated by a photoelectric conversion unit and converts the signal charge to an electric signal; and first and second holding units that are disposed in series between the photoelectric conversion unit and the storage unit, temporarily holds the signal charge generated by the photoelectric conversion unit, and thereafter transfers the signal charge to the storage unit, wherein one of the first and second holding units are used for the purpose of also holding an inputted noise charge while holding the signal charge generated by the photoelectric conversion unit, and the other of the first and second holding units are used for the purpose of holding the inputted noise charge while not holding the signal charge generated by the photoelectric conversion unit. This disclosure is applicable, for example, to a backside illumination CMOS image sensor.
(FR) La présente invention concerne un élément d'imagerie à semi-conducteurs qui permet à une composante de bruit causée par une lumière parasite d'être extraite de façon précise de sorte que la composante de bruit peut être retirée de manière appropriée, et un dispositif électronique. Selon un aspect de la présente invention, un élément d'imagerie à semi-conducteurs est pourvu : d'une unité de stockage qui stocke une charge de signal générée par une unité de conversion photoélectrique et convertit la charge de signal en un signal électrique; et de première et seconde unités de maintien qui sont disposées en série entre l'unité de conversion photoélectrique et l'unité de stockage, qui maintiennent temporairement la charge de signal générée par l'unité de conversion photoélectrique, et transfèrent ensuite la charge de signal à l'unité de stockage, l'une des première et seconde unités de maintien étant utilisée dans le but de maintenir également une charge de bruit introduite tout en maintenant la charge de signal générée par l'unité de conversion photoélectrique, et l'autre des première et seconde unités de maintien étant utilisée dans le but de maintenir la charge de bruit introduite sans maintenir la charge de signal générée par l'unité de conversion photoélectrique. Cette invention est applicable, par exemple, à un capteur d'image CMOS à rétroéclairage.
(JA) 本開示は、迷光に起因するノイズ成分を適切に除去できるように、該ノイズ成分を正確に抽出することができるようにする固体撮像素子、および電子装置に関する。 本開示の一側面である固体撮像素子は、光電変換部によって発生された信号電荷を蓄積して電気信号に変換する蓄積部と、前記光電変換部と前記蓄積部の間に直列に配置され、前記光電変換部によって発生された前記信号電荷を一時的に保持した後に前記蓄積部まで転送する第1および第2の保持部とを備え、前記第1および第2の保持部の一方は、前記光電変換部により発生された前記信号電荷を保持している状態で、入力されるノイズ電荷も保持する用途に使用され、前記第1および第2の保持部の他方は、前記光電変換部により発生された前記信号電荷を保持していない状態で、入力されるノイズ電荷を保持する用途に使用される。本開示は、例えば、裏面照射型CMOSイメージセンサに適用できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)