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1. (WO2017064897) SILICON CARBIDE SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/064897    International Application No.:    PCT/JP2016/071457
Publication Date: 20.04.2017 International Filing Date: 21.07.2016
IPC:
C30B 29/36 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33 Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventors: UETA, Shunsaku; (JP).
OKITA, Kyoko; (JP).
HARADA, Shin; (JP)
Agent: ITOH, Tadashige; (JP).
ITOH, Tadahiko; (JP)
Priority Data:
2015-203995 15.10.2015 JP
Title (EN) SILICON CARBIDE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素基板
Abstract: front page image
(EN)This silicon carbide substrate includes a carbon surface side main surface and a silicon surface side main surface. The silicon carbide substrate has a 4H crystal structure and includes nitrogen. The silicon carbide substrate has a diameter of 100 mm or more and a thickness of 300 μm or more. The off-angle with respect to a {0001} plane of the carbon surface side main surface and the silicon surface side main surface is 4° or less. The nitrogen concentration on the carbon surface side main surface is higher than the nitrogen concentration on the silicon surface side main surface, and the difference between a Raman peak shift on the carbon surface side main surface and a Raman peak shift on the silicon surface side main surface is 0.2 cm-1 or less.
(FR)La présente invention concerne un substrat en carbure de silicium comprenant une surface principale côté surface en carbone et une surface principale côté surface en silicium. Le substrat en carbure de silicium présente une structure cristalline 4H et inclut de l'azote. Le substrat en carbure de silicium présente un diamètre égal ou supérieur à 100 mm et une épaisseur égale ou supérieure à 300 µm. L'angle de décalage par rapport à un plan {1} de la surface principale côté surface en carbone et de la surface principale côté surface en silicium est inférieur ou égal à 4°. Le concentration en azote de la surface principale côté surface en carbone est supérieure à la concentration en azote de la surface principale côté surface en silicium, et la différence entre un décalage de pic de Raman sur la surface principale côté surface en carbone et un décalage de pic de Raman sur la surface principale côté surface en silicium est inférieure ou égale à 0,2 cm-1.
(JA)炭化珪素基板は、カーボン面側主面と、シリコン面側主面とを含む。炭化珪素基板は、4Hの結晶構造を有するとともに、窒素を含有する。炭化珪素基板は、100mm以上の直径と300μm以上の厚みを有する。カーボン面側主面およびシリコン面側主面の、{0001}面に対するオフ角は4°以下である。カーボン面側主面における窒素濃度がシリコン面側主面における窒素濃度よりも高く、カーボン面側主面のラマンピークシフトとシリコン面側主面のラマンピークシフトとの差が0.2cm-1以下である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)