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1. (WO2017064889) METHOD FOR SELECTING HEATER RELATED MEMBER PROVIDED IN SINGLE CRYSTAL PULLING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/064889    International Application No.:    PCT/JP2016/069113
Publication Date: 20.04.2017 International Filing Date: 28.06.2016
IPC:
C30B 15/14 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
Applicants: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP)
Inventors: KUDO, Satoshi; (JP).
IBARAGI, Hiromi; (JP)
Agent: SUDA, Masayoshi; (JP)
Priority Data:
2015-203369 15.10.2015 JP
Title (EN) METHOD FOR SELECTING HEATER RELATED MEMBER PROVIDED IN SINGLE CRYSTAL PULLING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE SÉLECTION D’ÉLÉMENT LIÉ À UN DISPOSITIF CHAUFFANT PRÉVU DANS UN DISPOSITIF DE TIRAGE DU CRISTAL UNIQUE
(JA) 単結晶引上げ装置が備えるヒータ関連部材の選択方法
Abstract: front page image
(EN)In growing a single crystal by the Czochralski method using a pulling device 10 that includes a heater 13 which, as a heater related member, melts crystal raw material filled inside a crucible 12 and controls temperature, and a carbon electrode 14 which connects the heater 13 and a power source, the heater 13 and the carbon electrode 14 are selected for which a coefficient of thermal expansion difference ΔC is equal to or less than a limit coefficient of thermal expansion difference ΔCL, which is calculated by formula (1), where the coefficient of thermal expansion difference ΔC is the difference between the coefficient of thermal expansion of a leg portion 13b of the heater and the coefficient of thermal expansion of the carbon electrode 14. Limit coefficient of thermal expansion difference (ΔCL)=/δ(E×A×ΔT) (1)
(FR)Selon la présente invention, lors de la croissance d’un cristal unique selon le procédé de Czochralski utilisant un dispositif de tirage (10) qui inclut un dispositif de chauffage (13) qui, comme élément associé au chauffage, fait fondre la matière première cristalline remplie à l’intérieur d’un creuset (12) et régule la température, et une électrode de carbone (14) qui connecte le dispositif de chauffage (13) et une source d’énergie électrique, le dispositif de chauffage (13) et l’électrode de carbone (14) sont sélectionnés parmi ceux ayant un coefficient de différence d’expansion thermique ΔC égal ou inférieur à un coefficient limite de différence d’expansion thermique ΔCL, qui est calculé par la formule (1), où le coefficient de différence d’expansion thermique ΔC est la différence entre le coefficient d’expansion thermique d’une partie de pied (13b) du dispositif de chauffage et le coefficient d’expansion thermique de l’électrode de carbone (14). Coefficient limite de la différence d’expansion thermique (ΔCL)=/δ(E x A x ΔT) (1)
(JA) ヒータ関連部材としてルツボ12内に充填した結晶用原料を溶融し温度制御を行うヒータ13と、ヒータ13及び電源を連結するカーボン電極14とを備えた引上げ装置10を用いて、単結晶をチョクラルスキー法により育成する際に、ヒータの脚部13bの熱膨張係数とカーボン電極14の熱膨張係数の差を熱膨張係数差ΔCとしたときの当該熱膨張係数差ΔCが、下記式(1)より算出される限界熱膨張係数差ΔCL以下となるヒータ13及びカーボン電極14を選択する。 限界熱膨張係数差(ΔCL)=σ/(E×A×ΔT) (1)
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)