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1. (WO2017064887) SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.: WO/2017/064887 International Application No.: PCT/JP2016/069002
Publication Date: 20.04.2017 International Filing Date: 27.06.2016
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventors: SUGAWARA Katsutoshi; JP
TANAKA Rina; JP
FUKUI Yutaka; JP
ADACHI Kohei; JP
KONISHI Kazuya; JP
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; JP
Priority Data:
2015-20424716.10.2015JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN) An interlayer insulating film (6) covers, with a thickness that is larger than that of a gate insulating film (305), a stripe gate electrode (204S), and is provided with a first contact hole (CH1) outside of a stripe trench (TS), and a second contact hole (CH2) in the stripe trench (TS). In plan view, active stripe regions (RA) and contact stripe regions (RC) extend in the long-side direction. The active stripe regions (RA) and the contact stripe regions (RC) are alternately disposed repeatedly in the direction perpendicular to the long-side direction. In each of the active stripe regions (RA), a source electrode (5) is connected to a source region (303) via the first contact hole (CH1). In each of the contact stripe regions, the source electrode (5) is connected to a protection diffusion layer (306) via the second contact hole (CH2).
(FR) Un film isolant (6) de couche intercalaire recouvre, avec une épaisseur plus grande que celle d'un film isolant (305) de grille, un électrode (204S) de grille en bande, et est doté d'un premier trou (CH1) de contact à l'extérieur d'une tranchée (TS) de bande, et d'un deuxième trou (CH2) de contact dans la tranchée (TS) de bande. Dans une vue en plan, des régions (RA) de bandes actives et des régions (RC) de bandes de contact s'étendent dans la direction du côté longitudinal. Les régions (RA) de bandes actives et les régions (RC) de bandes de contact sont disposées de façon répétée en alternance dans la direction perpendiculaire à la direction du côté longitudinal. Dans chacune des régions (RA) de bandes actives, une électrode (5) de source est reliée à une région (303) de source via le premier trou (CH1) de contact. Dans chacune des régions de bandes de contact, l'électrode (5) de source est reliée à une couche (306) de diffusion de protection via le deuxième trou (CH2) de contact.
(JA) 層間絶縁膜(6)は、ストライプゲート電極(204S)をゲート絶縁膜(305)の厚みよりも大きな厚みで覆うものであり、ストライプトレンチ(TS)の外側の第1コンタクトホール(CH1)と、ストライプトレンチ(TS)内の第2コンタクトホール(CH2)とが設けられている。平面視において、長手方向に延在する活性ストライプ領域(RA)およびコンタクトストライプ領域(RC)が存在する。活性ストライプ領域(RA)とコンタクトストライプ領域(RC)とが長手方向と垂直な方向に交互に繰り返し配置されている。活性ストライプ領域(RA)において、ソース電極(5)が第1コンタクトホール(CH1)を通してソース領域(303)に接続されている。コンタクトストライプ領域において、ソース電極(5)が第2コンタクトホール(CH2)を通して保護拡散層(306)に接続されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)