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1. (WO2017064383) METHOD FOR PRODUCING A HETEROJUNCTION FOR A PHOTOVOLTAIC CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/064383    International Application No.:    PCT/FR2016/052471
Publication Date: 20.04.2017 International Filing Date: 29.09.2016
IPC:
H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/--]; 25 Rue Leblanc Bâtiment le Ponant D 75015 Paris (FR)
Inventors: CARRERE, Tristan; (FR).
MUNOZ, Maria-Delfina; (FR)
Agent: LEBKIRI, Alexandre; (FR)
Priority Data:
1559911 16.10.2015 FR
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING A HETEROJUNCTION FOR A PHOTOVOLTAIC CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE HETEROJONTION POUR CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a method for producing a heterojunction for a photovoltaic cell, the heterojunction comprising a substrate (1) made from crystalline silicon and a layer (2, 2') made from doped hydrogenated amorphous silicon, the method comprising the following steps: - depositing a layer of hydrogenated amorphous silicon on a crystalline silicon substrate in such a way as to form a stack, the layer of hydrogenated amorphous silicon having a thickness of between 5 and 30 nm, and preferably of between 15 and 25 nm; - doping at least a part of the layer of hydrogenated amorphous silicon by ion implantation, the ion implantation being carried out at an energy of less than 2000 V, and preferably of between 1000 and 1500 V, from a precursor gas comprising a dose of dopant ions of between 1014 and 1017 cm-2", and preferably of between 1015 and 1016 cm-2; - followed by annealing at a temperature of between 150 °C and 350 °C, and preferably of between 200 and 300 °C, for a period of between 5 minutes and 3 hours.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une hétérojonction pour cellule photovoltaïque, l'hétérojonction comportant un substrat (1 ) en silicium cristallin et une couche (2, 2') en silicium amorphe hydrogéné dopé, le procédé comportant les étapes suivantes : - dépôt d'une couche en silicium amorphe hydrogéné sur un substrat en silicium cristallin de façon à former un empilement, la couche en silicium amorphe hydrogéné présentant une épaisseur comprise entre 5 et 30 nm, et de préférence entre 15 et 25 nm; - dopage d'au moins une partie de la couche en silicium amorphe hydrogéné par implantation ionique, l'implantation ionique étant effectuée à une énergie inférieure à 2000 V, et de préférence comprise entre 1000 et 1500 V, à partir d'un gaz précurseur comportant une dose en ions dopants comprise entre 1014 et 1017 cm-2, et de préférence entre 1015 et 1016 cm-2; - puis recuit à une température comprise entre 150 °C et 350 °C, et de préférence entre 200 et 300 °C, pendant une durée comprise entre 5 minutes et 3 heures.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)