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1. (WO2017063157) X-RAY DETECTORS CAPABLE OF LIMITING DIFFUSION OF CHARGE CARRIERS
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Pub. No.: WO/2017/063157 International Application No.: PCT/CN2015/091928
Publication Date: 20.04.2017 International Filing Date: 14.10.2015
IPC:
G01T 1/20 (2006.01)
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
T
MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
1
Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
16
Measuring radiation intensity
20
with scintillation detectors
Applicants:
SHENZHEN XPECTVISION TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; Room 201, Block A No. 1, Qianwan Road 1 Shenzhen-Hong Kong Cooperative District Shenzhen, Guangdong 518054, CN
Inventors:
CAO, Peiyan; CN
LIU, Yurun; CN
Agent:
SHENZHEN ARK INTELLECTUAL PROPERTY AGENT LLP; B2011, Jintong Building, No. 1058, Aiguo Road, Luohu Shenzhen, Guangdong 518003, CN
Priority Data:
Title (EN) X-RAY DETECTORS CAPABLE OF LIMITING DIFFUSION OF CHARGE CARRIERS
(FR) DÉTECTEURS DE RAYONS X APTES À LIMITER LA DIFFUSION DE PORTEURS DE CHARGE
Abstract:
(EN) An apparatus suitable for detecting X-ray is disclosed. In one example, the apparatus comprises an X-ray absorption layer (110) comprising a pixel (30) and a second pixel (31), and a layer of material (301, 303) or vacuum extending across a thickness of the X-ray absorption layer (110) and encircling the pixel (30, 31), wherein the layer of material (301) is configured to prevent a charge carrier in the pixel (30, 31) from moving through the layer of material (301). In another example, the apparatus comprises an X-ray absorption layer (110) comprising a plurality of columns (33, 34, 35) of a semiconductor configured to absorb X-ray, and a layer of material (301, 302) or vacuum extending across a thickness of the X-ray absorption layer (110) and encircling each of the columns (33, 34, 35), wherein the layer of material (301) is configured to prevent transfer of a charge carrier between two of the columns (33, 34, 35).
(FR) L'invention concerne un appareil approprié pour la détection de rayons X. Dans un exemple, l'appareil comprend une couche d'absorption de rayons X (110) comprenant un pixel (30) et un second pixel (31), ainsi qu'une couche de matériau (301, 303) ou de vide s'étendant à travers une épaisseur de la couche d'absorption de rayons X (110) et entourant le pixel (30, 31), la couche de matériau (301) étant configurée pour empêcher un porteur de charge dans le pixel (30, 31) de se déplacer à travers la couche de matériau (301). Dans un autre exemple, l'appareil comprend une couche d'absorption de rayons X (110) comprenant une pluralité de colonnes (33, 34, 35) d'un semi-conducteur configuré pour absorber les rayons X, et une couche de matériau (301, 302) ou de vide s'étendant à travers une épaisseur de la couche d'absorption de rayons X (110) et entourant chacune des colonnes (33, 34, 35), la couche de matériau (301) étant configurée pour empêcher le transfert d'un porteur de charge entre deux des colonnes (33, 34, 35).
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)