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1. (WO2017062100) ULTRA-HIGH MODULUS AND ETCH SELECTIVITY BORON-CARBON HARDMASK FILMS
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Pub. No.: WO/2017/062100 International Application No.: PCT/US2016/046548
Publication Date: 13.04.2017 International Filing Date: 11.08.2016
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,C23C 16/36 (2006.01) ,C23C 16/24 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventors: KULSHRESHTHA, Prashant Kumar; US
DUAN, Ziqing; US
NARASIMHA, Karthik Thimmavajjula; US
LEE, Kwangduk Douglas; US
KIM, Bok Hoen; US
Agent: PATTERSON, B. Todd; US
TACKETT, Keith M.; US
Priority Data:
15/233,35110.08.2016US
62/239,64509.10.2015US
Title (EN) ULTRA-HIGH MODULUS AND ETCH SELECTIVITY BORON-CARBON HARDMASK FILMS
(FR) FILMS DE MASQUE DUR DE BORE-CARBONE À MODULE ULTRA-ÉLEVÉ ET SÉLECTIVITÉ DE GRAVURE
Abstract: front page image
(EN) Implementations of the present disclosure generally relate to the fabrication of integrated circuits. More particularly, the implementations described herein provide techniques for deposition of boron-carbon films on a substrate. In one implementation, a method of processing a substrate is provided. The method comprises flowing a hydrocarbon-containing gas mixture into a processing volume of a processing chamber having a substrate positioned therein, wherein the substrate is heated to a substrate temperature from about 400 degrees Celsius to about 700 degrees Celsius, flowing a boron-containing gas mixture into the processing volume and generating an RF plasma in the processing volume to deposit a boron-carbon film on the heated substrate, wherein the boron-carbon film has an elastic modulus of from about 200 to about 400 GPa and a stress from about -100 MPa to about 100 MPa.
(FR) Des modes de réalisation de la présente invention concernent, d'une manière générale, la fabrication de circuits intégrés. Plus particulièrement, les modes de réalisation décrits présentement portent sur des techniques pour le dépôt de films de bore-carbone sur un substrat. Selon un mode de réalisation, la présente invention porte sur un procédé de traitement d'un substrat. Le procédé comprend l'écoulement d'un mélange gazeux contenant des hydrocarbures dans un volume de traitement d'une chambre de traitement ayant un substrat positionné à l'intérieur de cette dernière, le substrat étant chauffé à une température de substrat d'environ 400 degrés Celsius à environ 700 degrés Celsius, l'écoulement d'un mélange gazeux contenant du bore dans le volume de traitement et la génération d'un plasma radiofréquence (RF) dans le volume de traitement pour déposer un film de bore-carbone sur le substrat chauffé, le film de bore-carbone ayant un module d'élasticité d'environ 200 à environ 400 GPa et une contrainte allant d'environ -100 MPa à environ 100 MPa.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)