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1. (WO2017062056) GaN-ON-SAPPHIRE MONOLITHICALLY INTEGRATED POWER CONVERTER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2017/062056    International Application No.:    PCT/US2016/019968
Publication Date: 13.04.2017 International Filing Date: 26.02.2016
Chapter 2 Demand Filed:    30.09.2016    
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: HRL LABORATORIES, LLC [US/US]; 3011 Malibu Canyon Rd. Malibu, California 90265-4799 (US)
Inventors: HUGHES, Brian; (US).
CHU, Rongming; (US)
Agent: GALLENSON, Mavis S.; (US)
Priority Data:
62/239,616 09.10.2015 US
Title (EN) GaN-ON-SAPPHIRE MONOLITHICALLY INTEGRATED POWER CONVERTER
(FR) CONVERTISSEUR DE SECTEUR INTÉGRÉ DE FAÇON MONOLITHIQUE DE GAN SUR SAPHIR
Abstract: front page image
(EN)A half bridge circuit includes a sapphire substrate, a GaN upper switch on the sapphire substrate, a GaN lower switch on the sapphire substrate and coupled to the GaN upper switch, a first conductor coupled to the upper switch, a second conductor coupled to the lower switch, and a capacitor. A portion of the first conductor and a portion of the second conductor are on a plane vertically separated from the upper switch and the lower switch by a height, and the capacitor is coupled between the portion of the first conductor and the portion of the second conductor.
(FR)Un circuit en demi-pont comprend un substrat de saphir, un commutateur supérieur de GaN sur le substrat de saphir, un commutateur inférieur de GaN sur le substrat de saphir et couplé au commutateur supérieur de GaN, un premier conducteur couplé au commutateur supérieur, un second conducteur couplé au commutateur inférieur, et un condensateur. Une partie du premier conducteur et une partie du second conducteur sont sur un plan séparé verticalement du commutateur supérieur et du commutateur inférieur par une certaine hauteur, et le condensateur est couplé entre la partie du premier conducteur et la partie du second conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)